CVD برای SiC چیست؟

رسوب بخار شیمیایی یا CVD، یک روش متداول برای ایجاد لایه های نازک است که در تولید نیمه هادی ها استفاده می شود.در زمینه SiC، CVD به فرآیند رشد لایه‌های نازک یا پوشش‌های SiC توسط واکنش شیمیایی پیش‌سازهای گازی روی یک بستر اشاره دارد. مراحل کلی درگیر در SiC CVD به شرح زیر است:

آماده سازی بستر: بستر، معمولاً یک ویفر سیلیکونی، تمیز و آماده می شود تا سطح تمیزی برای رسوب SiC تضمین شود.

آماده سازی گاز پیش ساز: پیش سازهای گازی حاوی اتم های سیلیکون و کربن تهیه می شوند. پیش سازهای رایج عبارتند از سیلان (SiH4) و متیل سیلان (CH3SiH3).

راه اندازی راکتور: بستر در داخل یک محفظه راکتور قرار می گیرد و محفظه تخلیه می شود و با یک گاز بی اثر مانند آرگون برای حذف ناخالصی ها و اکسیژن پاک می شود.

فرآیند رسوب گذاری: گازهای پیش ساز وارد محفظه راکتور می شوند و در آنجا تحت واکنش های شیمیایی قرار می گیرند تا SiC روی سطح زیرلایه تشکیل شود. واکنش ها معمولاً در دماهای بالا (800-1200 درجه سانتیگراد) و تحت فشار کنترل شده انجام می شوند.

رشد فیلم: با واکنش گازهای پیش ساز و رسوب اتم های SiC، فیلم SiC به تدریج روی بستر رشد می کند. سرعت رشد و خواص فیلم را می توان تحت تأثیر پارامترهای مختلف فرآیند، مانند دما، غلظت پیش ماده، نرخ جریان گاز و فشار قرار داد.

خنک سازی و پس از تصفیه: هنگامی که ضخامت فیلم مورد نظر به دست آمد، راکتور خنک می شود و بستر پوشش داده شده با SiC حذف می شود. مراحل اضافی پس از درمان، مانند بازپخت یا پرداخت سطح، ممکن است برای بهبود خواص فیلم یا رفع هر گونه نقص انجام شود.

SiC CVD امکان کنترل دقیق ضخامت، ترکیب و خواص فیلم را فراهم می کند. این به طور گسترده در صنعت نیمه هادی برای تولید دستگاه های الکترونیکی مبتنی بر SiC، مانند ترانزیستورهای پرقدرت، دیودها و سنسورها استفاده می شود. فرآیند CVD رسوب فیلم‌های SiC یکنواخت و باکیفیت با رسانایی الکتریکی و پایداری حرارتی عالی را امکان‌پذیر می‌کند و آن را برای کاربردهای مختلف در صنایع الکترونیک قدرت، هوافضا، خودروسازی و سایر صنایع مناسب می‌سازد.

Semicorex عمده در CVD SiC محصولات پوشش داده شده بانگهدارنده / گیرنده ویفر, قطعات SiC، و غیره.