Semicorex میتواند طیف گستردهای از مشخصات و ویفرهای SOI با کیفیت بالا (سیلیکون در عایق - سیلیکون روی عایق) را برای طیف گستردهای از کاربردهای مشتری از جمله MEMS، دستگاههای قدرت، سنسورهای فشار و تولید مدار مجتمع CMOS در اختیار مشتریان قرار دهد. ویفرهای SOI راه حل خوبی برای دستگاه های پرسرعت و کم توان ارائه می دهند و به طور گسترده ای به عنوان یک راه حل جدید برای دستگاه های ولتاژ بالا و RF در نظر گرفته می شوند. ویفرهای SOI یک ساختار ساندویچ مانند (Sandwich) با سه لایه هستند. شامل لایه بالایی (لایه دستگاه)، لایه اکسیژن مدفون میانی (برای عایقسازی لایه SiO2)، و زیرلایه پایین (سیلیکون حجیم). ویفرهای SOI با استفاده از روش SIMOX و فناوری پیوند ویفر تولید میشوند که امکان لایههای دستگاه نازکتر و دقیقتر، یکنواختی ضخامت یکنواخت و تراکم نقص کم را از جمله اهداف دیگر فراهم میکند.
Semicorex ویفرهای SOI با قطرهای 6"، 8" و 12" را ارائه میدهد که طیف گستردهای از مقاومتها از 0.001 تا 100000 اهم سانتیمتر و طیف گستردهای از ضخامتهای لایه دستگاه از 100 نانومتر (1000Å) تا 300um برای برآورده کردن SOI منحصربهفرد است. نیازهای بسیاری از مشتریان
بر اساس تقاضای متنوع و قوی مشتریان خود، ما می توانیم ویفرهای SOI سفارشی را برای آنها ارائه دهیم.