صفحه اصلی > محصولات > ویفر > ویفر SOI > سیلیکون روی ویفرهای عایق
سیلیکون روی ویفرهای عایق
  • سیلیکون روی ویفرهای عایقسیلیکون روی ویفرهای عایق

سیلیکون روی ویفرهای عایق

ویفرهای Semicorex Silicon on Insulator مواد نیمه هادی پیشرفته ای هستند که عملکرد برتر، کاهش مصرف برق و مقیاس پذیری دستگاه را افزایش می دهند. انتخاب ویفرهای SOI Semicorex به شما اطمینان می‌دهد که محصولات درجه یک و با مهندسی دقیق را دریافت خواهید کرد که توسط تخصص و تعهد ما به نوآوری، قابلیت اطمینان و کیفیت پشتیبانی می‌شود.*

ارسال استعلام

توضیحات محصول

ویفرهای سیلیکونی روی عایق Semicorex یک ماده کلیدی در توسعه دستگاه های نیمه هادی پیشرفته هستند که طیف وسیعی از مزایایی را ارائه می دهند که با ویفرهای سیلیکونی فله استاندارد دست نیافتنی است. ویفرهای سیلیکون روی عایق از یک ساختار لایه‌ای تشکیل شده‌اند که در آن یک لایه سیلیکونی نازک و با کیفیت بالا توسط یک لایه عایق که معمولاً از دی اکسید سیلیکون (SiO2) ساخته شده است، از سیلیکون عمده زیرین جدا می‌شود. این پیکربندی بهبودهای قابل توجهی را در سرعت، راندمان نیرو و عملکرد حرارتی ممکن می‌سازد، و سیلیکون روی ویفرهای عایق را به یک ماده ضروری برای کاربردهای با کارایی بالا و کم مصرف در صنایعی مانند لوازم الکترونیکی مصرفی، خودروسازی، مخابرات و هوافضا تبدیل می‌کند.


ساختار و ساخت ویفر SOI

ساختار سیلیکون روی ویفرهای عایق به دقت مهندسی شده است تا عملکرد دستگاه را در عین رفع محدودیت‌های ویفرهای سیلیکونی سنتی افزایش دهد. ویفرهای سیلیکونی روی عایق معمولاً با استفاده از یکی از دو روش اصلی ساخته می شوند: جداسازی با کاشت اکسیژن (SIMOX) یا فناوری Smart Cut™.

● لایه سیلیکونی بالایی:این لایه که اغلب به عنوان لایه فعال شناخته می شود، یک لایه سیلیکونی نازک و با خلوص بالا است که در آن دستگاه های الکترونیکی ساخته می شوند. ضخامت این لایه را می توان به طور دقیق کنترل کرد تا نیازهای کاربردهای خاص را برآورده کند که معمولاً از چند نانومتر تا چند میکرون متغیر است.

● مدفون ●لایه اکسید (BOX):لایه BOX کلید عملکرد ویفرهای SOI است. این لایه دی اکسید سیلیکون به عنوان یک عایق عمل می کند و لایه سیلیکون فعال را از بستر توده ای جدا می کند. این به کاهش فعل و انفعالات الکتریکی ناخواسته مانند ظرفیت انگلی کمک می کند و به مصرف انرژی کمتر و سرعت سوئیچ بالاتر در دستگاه نهایی کمک می کند.

 ● بستر سیلیکونی:در زیر لایه BOX، بستر سیلیکونی حجیم وجود دارد که پایداری مکانیکی مورد نیاز برای جابجایی و پردازش ویفر را فراهم می‌کند. اگرچه خود بستر مستقیماً در عملکرد الکترونیکی دستگاه شرکت نمی کند، نقش آن در حمایت از لایه های بالایی برای یکپارچگی ساختاری ویفر حیاتی است.


با استفاده از تکنیک های ساخت پیشرفته، ضخامت و یکنواختی دقیق هر لایه را می توان با نیازهای خاص کاربردهای مختلف نیمه هادی تنظیم کرد و ویفرهای SOI را بسیار سازگار می کند.


مزایای کلیدی ویفرهای سیلیکونی روی عایق


ساختار منحصر به فرد سیلیکون روی ویفرهای عایق، مزایای متعددی را نسبت به ویفرهای سیلیکونی حجیم سنتی، به ویژه از نظر عملکرد، کارایی توان و مقیاس پذیری دارد:


عملکرد پیشرفته: ویفرهای سیلیکونی روی عایق، ظرفیت انگلی بین ترانزیستورها را کاهش می‌دهند که به نوبه خود منجر به انتقال سریع سیگنال و سرعت کلی دستگاه بالاتر می‌شود. این افزایش عملکرد به ویژه برای برنامه هایی که نیاز به پردازش با سرعت بالا دارند، مانند ریزپردازنده ها، محاسبات با کارایی بالا (HPC) و تجهیزات شبکه بسیار مهم است.


مصرف برق کمتر: ویفرهای سیلیکونی روی عایق دستگاه ها را قادر می سازد در ولتاژ پایین تر کار کنند و در عین حال عملکرد بالا را حفظ کنند. عایق ارائه شده توسط لایه BOX جریان های نشتی را کاهش می دهد و امکان استفاده کارآمدتر از برق را فراهم می کند. این باعث می‌شود ویفرهای SOI برای دستگاه‌هایی که با باتری کار می‌کنند ایده‌آل شوند، جایی که بهره‌وری انرژی برای افزایش عمر باتری بسیار مهم است.


بهبود مدیریت حرارتی: خواص عایق لایه BOX به اتلاف گرما و ایزوله حرارتی بهتر کمک می کند. این به جلوگیری از هات اسپات کمک می کند و عملکرد حرارتی دستگاه را بهبود می بخشد و امکان عملکرد مطمئن تر در محیط های پر قدرت یا دمای بالا را فراهم می کند.


مقیاس پذیری بیشتر: با کوچک شدن اندازه ترانزیستور و افزایش تراکم دستگاه، ویفرهای سیلیکون روی عایق راه حل مقیاس پذیرتری را در مقایسه با سیلیکون حجیم ارائه می دهند. کاهش اثرات انگلی و انزوا بهبود یافته امکان ترانزیستورهای کوچکتر و سریعتر را فراهم می کند و ویفرهای SOI را برای گره های نیمه هادی پیشرفته مناسب می کند.


کاهش اثرات کانال کوتاه: فناوری SOI به کاهش اثرات کانال کوتاه کمک می کند، که می تواند عملکرد ترانزیستورها را در دستگاه های نیمه هادی با مقیاس عمیق کاهش دهد. جداسازی ارائه شده توسط لایه BOX تداخل الکتریکی بین ترانزیستورهای همسایه را کاهش می دهد و عملکرد بهتری را در هندسه های کوچکتر ممکن می کند.


مقاومت در برابر تشعشع: مقاومت ذاتی سیلیکون در برابر تشعشع روی ویفرهای عایق، آنها را برای استفاده در محیط هایی که قرار گرفتن در معرض تشعشعات نگران کننده است، ایده آل می کند، مانند کاربردهای هوافضا، دفاع و هسته ای. لایه BOX به محافظت از لایه سیلیکون فعال در برابر آسیب های ناشی از تشعشع کمک می کند و عملکرد قابل اعتماد را در شرایط سخت تضمین می کند.


ویفرهای سیلیکون روی عایق Semicorex یک ماده پیشگامانه در صنعت نیمه هادی هستند که عملکرد بی نظیری، راندمان انرژی و مقیاس پذیری را ارائه می دهند. از آنجایی که تقاضا برای دستگاه‌های سریع‌تر، کوچک‌تر و کم‌مصرف‌تر همچنان در حال رشد است، فناوری SOI نقش مهمی را در آینده الکترونیک بازی می‌کند. در Semicorex، ما وظیفه داریم تا ویفرهای SOI با کیفیت بالا را به مشتریان خود ارائه دهیم که نیازهای سختگیرانه پیشرفته ترین برنامه های امروزی را برآورده می کند. تعهد ما به برتری تضمین می‌کند که ویفرهای سیلیکون روی عایق ما قابلیت اطمینان و عملکرد مورد نیاز برای نسل بعدی دستگاه‌های نیمه‌رسانا را ارائه می‌دهد.




تگ های داغ: سیلیکون روی ویفرهای عایق، چین، تولیدکنندگان، تامین کنندگان، کارخانه، سفارشی، فله، پیشرفته، بادوام
دسته بندی مرتبط
ارسال استعلام
لطفاً درخواست خود را در فرم زیر ارائه دهید. ما ظرف 24 ساعت به شما پاسخ خواهیم داد.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept