چین اجزای نیمه هادی تولید کنندگان، تامین کنندگان، کارخانه

به عنوان تولید کننده حرفه ای، ما می خواهیم قطعات نیمه هادی را به شما ارائه دهیم. Semicorex شریک شما برای بهبود در پردازش نیمه هادی است. پوشش‌های کاربید سیلیکون ما متراکم، در دمای بالا و مقاوم در برابر مواد شیمیایی هستند که اغلب در کل چرخه تولید نیمه‌هادی‌ها از جمله پردازش ویفر و ویفر نیمه‌رسانا و ساخت نیمه‌رسانا استفاده می‌شوند.

اجزای پوشش داده شده SiC با خلوص بالا برای فرآیندهای نیمه هادی بسیار مهم هستند. پیشنهاد ما از مواد مصرفی گرافیت برای مناطق گرم رشد کریستال (هیترها، گیرنده‌های بوته، عایق)، تا اجزای گرافیت با دقت بالا برای تجهیزات پردازش ویفر، مانند گیرنده‌های گرافیت با روکش کاربید سیلیکون برای Epitaxy یا MOCVD را شامل می‌شود.

مزایای فرآیندهای نیمه هادی

مراحل رسوب لایه نازک مانند اپیتاکسی یا MOCVD، یا پردازش ویفر مانند اچ کردن یا کاشت یونی باید دماهای بالا و تمیز کردن شیمیایی سخت را تحمل کنند. Semicorex ساختار گرافیت روکش شده با کاربید سیلیکون (SiC) با خلوص بالا، مقاومت حرارتی عالی و مقاومت شیمیایی بادوام، حتی یکنواختی حرارتی برای ضخامت و مقاومت لایه epi را فراهم می‌کند.

درب محفظه →
درپوش‌های محفظه‌ای که در رشد کریستال و پردازش ویفر استفاده می‌شوند باید دماهای بالا و تمیز کردن شیمیایی سخت را تحمل کنند.

End Effector →
افکتور پایانی دست ربات است که ویفرهای نیمه هادی را بین موقعیت های تجهیزات پردازش ویفر و حامل ها حرکت می دهد.

حلقه های ورودی →
حلقه ورودی گاز با پوشش SiC توسط تجهیزات MOCVD رشد مرکب دارای مقاومت در برابر حرارت و خوردگی بالا است که در محیط شدید پایداری زیادی دارد.

حلقه فوکوس →
حلقه فوکوس با پوشش سیلیکون کاربید تامین می کند Semicorex برای تمیز کردن RTA، RTP یا مواد شیمیایی خشن واقعا پایدار است.

ویفر چاک →
ویفر وکیوم سرامیکی فوق تخت Semicorex از روکش SiC با خلوص بالا در فرآیند جابجایی ویفر استفاده می کند.