درباره نقص در کریستال های SiC - Micropipe

بستر SiC می تواند دارای عیوب میکروسکوپی باشد، مانند دررفتگی پیچ رزوه ای (TSD)، دررفتگی لبه رزوه ای (TED)، دررفتگی صفحه پایه (BPD) و موارد دیگر. این عیوب ناشی از انحراف در آرایش اتم ها در سطح اتمی است. بلورهای SiC همچنین ممکن است دارای دررفتگی های ماکروسکوپی مانند سی یا C، میکرولوله، حفره های شش ضلعی، چند شکلی و غیره باشند. این نابجایی ها معمولاً اندازه بزرگی دارند.

یکی از مسائل مهم در ساخت دستگاه‌های SiC، ریزساختارهای سه‌بعدی معروف به "micropipe" یا "pinholes" است که معمولاً به ترتیب اندازه‌های 30-40 و 0.1-5um دارند. این میکرولوله ها دارای چگالی 10-10³/cm² هستند و می توانند به لایه اپیتاکسیال نفوذ کنند و منجر به نقص های کشنده دستگاه شوند. آنها عمدتاً به دلیل خوشه‌بندی دررفتگی‌های اسپیرو ایجاد می‌شوند و مانع اصلی در توسعه دستگاه‌های SiC در نظر گرفته می‌شوند.

عیوب میکروتوبول روی بستر منشأ سایر عیوب تشکیل شده در لایه همپایی در طول فرآیند رشد می باشد، مانند حفره ها، ادغام چند شکلی های مختلف، دوقلوها و غیره. بنابراین مهم ترین کاری که در طول فرآیند رشد مواد زیرلایه باید انجام شود. برای دستگاه های SiC با ولتاژ بالا و توان بالا، کاهش تشکیل عیوب میکروتوبول در بلورهای SiC حجیم و جلوگیری از ورود آنها به لایه همپایی است.

میکرولوله را می توان به عنوان حفره های کوچک در نظر گرفت و با بهینه سازی شرایط فرآیند می توانیم برای کاهش تراکم میکرولوله ها را پر کنیم. چندین مطالعه در ادبیات و داده‌های تجربی نشان داده‌اند که اپیتاکسی تبخیر، رشد CVD و اپیتاکسی فاز مایع می‌تواند میکرولوله را پر کرده و تشکیل میکرولوله و دررفتگی را کاهش دهد.

Semicorex از تکنیک MOCVD برای ایجاد پوشش‌های SiC استفاده می‌کند که به طور موثری چگالی میکرولوله‌ها را کاهش می‌دهد و در نتیجه محصولاتی با کیفیت بالا تولید می‌کند. اگر سؤالی دارید یا نیاز به جزئیات بیشتری دارید، لطفاً در تماس با ما دریغ نکنید.

تلفن تماس 86-13567891907

ایمیل: sales@semicorex.com