Infineon اولین ویفر 300 میلی متری قدرت GaN جهان را رونمایی کرد

اخیراً، Infineon Technologies توسعه موفقیت آمیز اولین فناوری ویفر گالیوم نیترید (GaN) با قدرت 300 میلی متری جهان را اعلام کرد. این آنها را به اولین شرکتی تبدیل می کند که بر این فناوری پیشگامانه تسلط یافته و به تولید انبوه در محیط های تولیدی در مقیاس بزرگ و با ظرفیت بالا دست یافته است. این نوآوری نشان دهنده پیشرفت قابل توجهی در بازار نیمه هادی های برق مبتنی بر GaN است.

چگونه فناوری 300 میلی متر با فناوری 200 میلی متر مقایسه می شود؟

در مقایسه با فناوری 200 میلی‌متری، استفاده از ویفرهای 300 میلی‌متری امکان تولید 2.3 برابر بیشتر تراشه‌های GaN در هر ویفر را فراهم می‌کند که به‌طور قابل‌توجهی کارایی و خروجی تولید را افزایش می‌دهد. این پیشرفت نه تنها رهبری Infineon را در زمینه سیستم های قدرت تثبیت می کند، بلکه توسعه سریع فناوری GaN را نیز تسریع می بخشد.

مدیر عامل Infineon در مورد این دستاورد چه گفت؟

یوخن هانبک، مدیرعامل Infineon Technologies اظهار داشت: "این دستاورد قابل توجه قدرت قوی ما را در نوآوری نشان می دهد و گواهی بر تلاش های بی وقفه تیم جهانی ما است. ما قویاً معتقدیم که این پیشرفت فناوری هنجارهای صنعت را تغییر می دهد و پتانسیل کامل فناوری GaN را باز می کند. نزدیک به یک سال پس از خرید GaN Systems، ما یک بار دیگر عزم خود را برای رهبری در بازار به سرعت در حال رشد GaN به نمایش می گذاریم. Infineon به عنوان یک پیشرو در سیستم های قدرت، مزیت رقابتی در سه ماده کلیدی به دست آورده است: سیلیکون، کاربید سیلیکون و GaN.

یوخن هانبک، مدیر عامل Infineon، یکی از اولین ویفرهای GaN Power 300 میلی متری جهان را در اختیار دارد که در یک محیط تولیدی با حجم بالا موجود و مقیاس پذیر تولید شده است.

چرا فناوری GaN 300 میلی متری سودمند است؟

یکی از مزیت‌های مهم فناوری GaN 300 میلی‌متری این است که می‌توان آن را با استفاده از تجهیزات تولید سیلیکون 300 میلی‌متری موجود تولید کرد، زیرا GaN و سیلیکون شباهت‌هایی در فرآیندهای تولید دارند. این ویژگی به Infineon اجازه می دهد تا به طور یکپارچه فناوری GaN را در سیستم های تولید فعلی خود ادغام کند و در نتیجه پذیرش و کاربرد فناوری را تسریع کند.

کجا Infineon ویفرهای GaN 300 میلی متری را با موفقیت تولید کرده است؟

در حال حاضر، Infineon با موفقیت ویفرهای GaN 300 میلی متری را در خطوط تولید سیلیکون 300 میلی متری موجود در نیروگاه خود در Villach، اتریش تولید کرده است. این شرکت با تکیه بر پایه‌های تثبیت شده فناوری GaN 200 میلی‌متری و تولید سیلیکون 300 میلی‌متری، قابلیت‌های فناوری و تولید خود را بیشتر گسترش داده است.

این پیشرفت چه معنایی برای آینده دارد؟

این پیشرفت نه تنها نقاط قوت Infineon را در نوآوری و قابلیت‌های تولید در مقیاس بزرگ نشان می‌دهد، بلکه پایه محکمی برای توسعه آینده صنعت نیمه‌رسانای قدرت ایجاد می‌کند. همانطور که فناوری GaN به تکامل خود ادامه می دهد، Infineon در پیشبرد رشد بازار ادامه خواهد داشت و موقعیت رهبری خود را در صنعت جهانی نیمه هادی ها بیشتر خواهد کرد.**