پرداخت سطح ویفرهای سیلیکونی

ویفر سیلیکونیپرداخت سطح یک فرآیند بسیار مهم در تولید نیمه هادی است. هدف اصلی آن دستیابی به استانداردهای بسیار بالایی از صافی و زبری سطح با حذف عیوب میکرو، لایه‌های آسیب استرس و آلودگی از ناخالصی‌هایی مانند یون‌های فلزی است. این تضمین می کند کهویفرهای سیلیکونیالزامات آماده سازی دستگاه های میکروالکترونیک، از جمله مدارهای مجتمع (IC) را برآورده می کند.

برای تضمین دقت پرداخت،ویفر سیلیکونیفرآیند پرداخت را می توان به دو، سه یا حتی چهار مرحله مجزا سازمان داد. هر مرحله از شرایط مختلف پردازش، از جمله فشار، ترکیب مایع پولیش، اندازه ذرات، غلظت، مقدار pH، مواد پارچه پولیش، ساختار، سختی، دما و حجم پردازش استفاده می‌کند.

مراحل کلی ازویفر سیلیکونیپرداخت به شرح زیر است:

1. ** پولیش خشن **: هدف این مرحله حذف لایه آسیب مکانیکی ناشی از تنش مکانیکی باقی مانده بر روی سطح از پردازش قبلی، دستیابی به دقت ابعادی هندسی مورد نیاز است. حجم پردازش برای پرداخت خشن معمولاً بیش از 15-20 میکرومتر است.

2. ** پولیش خوب **: در این مرحله، صافی موضعی و زبری سطح ویفر سیلیکونی بیشتر به حداقل می رسد تا کیفیت سطح بالا تضمین شود. حجم پردازش برای پرداخت خوب حدود 5-8μm است.

3. **"بزدایی" ریز پرداخت **: این مرحله بر حذف عیوب سطح ریز و بهبود ویژگی های نانومورفولوژی ویفر تمرکز دارد. مقدار ماده حذف شده در این فرآیند حدود 1μm است.

4. ** پولیش نهایی **: برای فرآیندهای تراشه های آی سی با نیازهای عرض خط بسیار سخت (مانند تراشه های کوچکتر از 0.13 میکرومتر یا 28 نانومتر)، یک مرحله پولیش نهایی پس از پرداخت خوب و پرداخت ریز "مه زدایی" ضروری است. این تضمین می کند که ویفر سیلیکونی به دقت ماشینکاری استثنایی و ویژگی های سطح نانومقیاس دست می یابد.

مهم است که توجه داشته باشید که پرداخت مکانیکی شیمیایی (CMP) ازویفر سیلیکونیسطح متمایز از فناوری CMP است که برای صاف کردن سطح ویفر در تهیه IC استفاده می شود. در حالی که هر دو روش شامل ترکیبی از پرداخت شیمیایی و مکانیکی است، شرایط، اهداف و کاربردهای آنها به طور قابل توجهی متفاوت است.

Semicorex ارائه می دهدویفر با کیفیت بالا. اگر سؤالی دارید یا نیاز به جزئیات بیشتری دارید، لطفاً در تماس با ما دریغ نکنید.

تلفن تماس 86-13567891907

ایمیل: sales@semicorex.com