فرآیند CVD برای اپیتاکسی ویفر SiC شامل رسوب لایههای SiC بر روی یک بستر SiC با استفاده از واکنش فاز گاز است. گازهای پیش ساز SiC، به طور معمول متیل تری کلروسیلان (MTS) و اتیلن (C2H4)، وارد یک محفظه واکنش می شوند که در آن بستر SiC تا دمای بالا (معمولاً بین 1400 تا 1600 درجه سانتیگراد) تحت یک اتمسفر کن......
ادامه مطلبژاپن اخیرا صادرات 23 نوع تجهیزات تولید نیمه هادی را محدود کرده است. این اعلامیه موجهایی را در سراسر صنعت ایجاد کرده است، زیرا انتظار میرود این حرکت تاثیر قابلتوجهی بر زنجیرههای تامین جهانی برای تولید نیمهرسانا داشته باشد.
ادامه مطلبدر حالی که در حال حاضر به دلیل اقتصاد ضعیف جهانی، عرضه بیش از حد نیمه هادی های حافظه وجود دارد، تراشه های آنالوگ برای کاربردهای خودرویی و صنعتی همچنان با کمبود مواجه هستند. زمان تولید این تراشه های آنالوگ می تواند تا 40 هفته در مقایسه با 20 هفته برای ذخایر حافظه طولانی باشد.
ادامه مطلب