هیترهای کامپوزیت C/C

کامپوزیت C/Cبخاری ها معمولاً در اطراف بوته ای قرار می گیرند که در مرکز کوره های رشد کریستال قرار دارد و از طریق گرمایش مقاومتی، گرمای یکنواخت را به مواد نیمه هادی داخل بوته می دهد. هنگامی که بخاری های کامپوزیتی C/C انرژی می گیرند، الیاف کربن و ماتریس می توانند به لطف اثر مقاومت، گرما تولید کنند. این گرما از طریق هدایت حرارتی و تابش به مواد نیمه هادی در بوته منتقل می شود و آنها را تا دمای لازم برای ذوب کریستال بالا می برد. برای اطمینان از توزیع یکنواخت تر و موثرتر دما، چندین بخاری کامپوزیتی C/C را می توان برای ایجاد ساختار گرمایش لایه ای برای کوره های رشد کریستال بزرگ ترکیب کرد.

کامپوزیت C/Cبخاری ها می توانند کنترل دقیقی بر شرایط فرآیند برای ذوب یکنواخت مواد نیمه هادی و گرادیان دمای مورد نیاز برای رشد کریستال فراهم کنند و در نتیجه تاثیر نوسانات دما بر کیفیت کریستال را به میزان قابل توجهی کاهش دهند. بنابراین، منطقه داغ توزیع دمایی یکنواخت و پایدار را در داخل کوره‌های کریستالی با دمای بالا نشان می‌دهد. این توزیع دما بهبود یافته به کشت محصولات سیلیکونی تک کریستالی با کیفیت بالا و کم نقص کمک می کند، که به طور قابل توجهی خواص الکتریکی و مکانیکی کریستال را بهینه می کند. تحت عمل گرمکن کامپوزیت C/C، چرخه ذوب مواد نیمه هادی را می توان به طور موثر کوتاه کرد، در نتیجه سرعت رشد کریستال را تسریع کرد و به بهبود راندمان کلی تولید کمک کرد.

سیستم میدان حرارتی برای رشد کریستال نیمه هادی از هیترهای کامپوزیت C/C، همراه با اجزای اصلی شامل بوته ها، لوله های هدایت جریان، آستین های عایق حرارتی و شفت های بوته تشکیل شده است. انتخاب بخاری‌های کامپوزیتی C/C Semicorex می‌تواند بهبود و بهینه‌سازی سیستم میدان حرارتی را تسهیل کند و به طور موثری نیازهای کاربرد در مقیاس بزرگ برای مواد کریستالی با کارایی بالا در بخش‌هایی مانند صنایع نیمه‌رسانا، فتوولتائیک و نوری را برآورده کند.