CVD SiC پوشش دهی بشکه ای

Semicorex CVD SiC Coated Barrel Susceptor یک جزء با مهندسی دقیق است که برای فرآیندهای پیشرفته تولید نیمه هادی، به ویژه اپیتاکسی طراحی شده است. این گیره بشکه ای با پوشش سی سی سی سی سی با دقت و نوآوری ساخته شده است تا رشد همپایی مواد نیمه هادی روی ویفرها را با کارایی و قابلیت اطمینان بی نظیر تسهیل کند.

در CVD SiC Coated Barrel Susceptor هسته یک ساختار گرافیتی مستحکم قرار دارد که به دلیل هدایت حرارتی استثنایی و استحکام مکانیکی آن مشهور است. این پایه گرافیتی به عنوان پایه ای محکم برای گیرنده عمل می کند و پایداری و طول عمر را در شرایط سخت راکتورهای همپایی تضمین می کند.

تقویت زیرلایه گرافیت یک پوشش پیشرفته از کاربید سیلیکون (SiC) رسوب بخار شیمیایی (CVD) است. این پوشش تخصصی SiC به دقت از طریق فرآیند رسوب بخار شیمیایی اعمال می شود و در نتیجه یک لایه یکنواخت و بادوام ایجاد می شود که سطح گرافیت را می پوشاند. پوشش سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی اسکرپتور بشکه ای بی شماری از مزیت های حیاتی برای فرآیندهای اپیتاکسیال را معرفی می کند.

پوشش سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی وی دی دارای خواص حرارتی فوق العاده ای از جمله هدایت حرارتی بالا و پایداری حرارتی است. این ویژگی‌ها در تضمین گرمایش یکنواخت و دقیق ویفرهای نیمه‌رسانا در طول رشد همپایی، در نتیجه رسوب لایه ثابت و به حداقل رساندن عیوب در محصول نهایی مؤثر هستند.

طراحی بشکه‌ای از گیره‌گیر بشکه‌ای با پوشش CVD SiC برای بارگیری و تخلیه کارآمد ویفر و همچنین توزیع بهینه گرما در سطح ویفر بهینه شده است. این ویژگی طراحی، همراه با عملکرد برتر پوشش CVD SiC، کنترل فرآیند و عملکرد بی‌نظیر را در عملیات‌های تولید همپایی تضمین می‌کند.