صلیب گرافیت

صلیب گرافیت Semicorex مؤلفه های مهمی در فرآیند تولید نیمه هادی ، به ویژه در مرحله رشد کریستال است. این ظروف با کارایی بالا برای مقاومت در برابر شرایط شدید مورد نیاز برای تولید سیلیکون با خلوص بالا یا کریستال های نیمه هادی مرکب از طریق روش هایی مانند فرآیند Czochralski (CZ) یا تکنیک منطقه Float (FZ) ساخته شده است.

عملکرد عمده ای از صلیب گرافیتی ، مقاومت و پشتیبانی از دمای بسیار بالا ، به طور معمول بالاتر از 2000 درجه سانتیگراد است ، جایی که مواد نیمه هادی نسل سوم مانند کاربید سیلیکون و نیترید گالیم غالباً سنتز می شوند. صلیب های ساخته شده از گرافیت با خلوص بالا مقاومت بسیار خوبی در برابر دمای بالا دارند که حالات فیزیکی و شیمیایی خود را در چنین سطحی شدید و بدون هیچ نوع تجزیه یا حتی دگرگونی حفظ می کنند. هدایت حرارتی خوب توسط گرافیت مروارید به این معنی است که آنها نه تنها گرما را به طور یکنواخت انجام می دهند بلکه یک میدان دما پایدار را نیز تنظیم می کنند. این امر در طی فرآیندهای ذوب و تبلور بسیار مهم بازی می شود زیرا توزیع دمای یکنواخت باعث می شود مواد رشد در شرایط کم و بیش معادل آن امکان پذیر شود ، بنابراین نقص کریستالی را کاهش می دهد و به کریستال های نیمه هادی با کیفیت اجازه می دهد.

در فرآیندهای رشد کریستال کاربید یا گالیم نیترید گالیم (مانند فاز بخار Epitaxy CVD یا PVT حمل و نقل بخار فیزیکی) ، از صلیب گرافیتی برای نگه داشتن مواد اولیه و فراهم کردن محیط رشد کنترل شده استفاده می شود. عدم تحرک شیمیایی Crucible تضمین می کند که از نظر شیمیایی با مواد نیمه هادی در دماهای بالا واکنش نشان نمی دهد و از این طریق خلوص بالای مواد را حفظ می کند. در عین حال ، هدایت حرارتی خوب از گرافیت Crucible به تشکیل یک گرادیان درجه حرارت یکنواخت کمک می کند ، و شرایط ایده آل برای رشد کریستال و کاهش ناخالصی ها و نقص های ساختاری را فراهم می کند.

عدم تحرک شیمیایی صلیب گرافیتی یک ویژگی اصلی در تصفیه مواد نیمه هادی است. مواد گرافیتی با خلوص بالا می تواند آلودگی خارجی را جدا کرده و از ورود ناخالصی ها به مواد نیمه هادی مذاب جلوگیری کند. سطح سطح گرافیت گرافیت همچنین می تواند پوشش داده شود (مانند پوشش کاربید سیلیکون) برای تقویت مقاومت اکسیداسیون و مقاومت در برابر خوردگی آن ، اطمینان بیشتر از خلوص بالا و پایداری زیاد فرآیند تولید.