پوشش SiC با دمای بالا برای محفظه های اچ پلاسما

وقتی صحبت از فرآیندهای جابجایی ویفر مانند اپیتاکسی و MOCVD می شود، پوشش SiC با دمای بالا برای محفظه های اچ پلاسما Semicorex بهترین انتخاب است. حامل های ما به لطف پوشش کریستالی SiC ما، مقاومت حرارتی عالی، حتی یکنواختی حرارتی، و مقاومت شیمیایی بادوام را ارائه می دهند.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

در Semicorex، ما اهمیت تجهیزات جابجایی ویفر با کیفیت بالا را درک می کنیم. به همین دلیل است که پوشش SiC با دمای بالا برای محفظه‌های اچ پلاسما به طور خاص برای محیط‌های تمیزکننده شیمیایی با دمای بالا و خشن طراحی شده است. حامل های ما حتی پروفیل های حرارتی، الگوهای جریان گاز آرام را ارائه می دهند و از آلودگی یا انتشار ناخالصی ها جلوگیری می کنند.
امروز با ما تماس بگیرید تا در مورد پوشش SiC با دمای بالا برای اتاق های اچ پلاسما بیشتر بدانید.

پارامترهای پوشش SiC با دمای بالا برای اتاق های اچ پلاسما

مشخصات اصلی پوشش CVD-SIC
ویژگی های SiC-CVD
ساختار کریستالی	فاز β FCC
تراکم	g/cm³	3.21
سختی	سختی ویکرز	2500
اندازه دانه	میکرومتر	2 تا 10
خلوص شیمیایی	%	99.99995
ظرفیت حرارتی	J kg-1 K-1	640
دمای تصعید	℃	2700
قدرت فلکسورال	MPa (RT 4 نقطه ای)	415
مدول یانگ	Gpa (4pt خم، 1300℃)	430
انبساط حرارتی (C.T.E)	10-6K-1	4.5
هدایت حرارتی	(W/mK)	300