پوشش SiC با دمای بالا برای محفظه های اچ پلاسما

در Semicorex، ما اهمیت تجهیزات جابجایی ویفر با کیفیت بالا را درک می کنیم. به همین دلیل است که پوشش SiC با دمای بالا برای محفظه‌های اچ پلاسما به طور خاص برای محیط‌های تمیزکننده شیمیایی با دمای بالا و خشن طراحی شده است. حامل های ما حتی پروفیل های حرارتی، الگوهای جریان گاز آرام را ارائه می دهند و از آلودگی یا انتشار ناخالصی ها جلوگیری می کنند.
امروز با ما تماس بگیرید تا در مورد پوشش SiC با دمای بالا برای اتاق های اچ پلاسما بیشتر بدانید.

پارامترهای پوشش SiC با دمای بالا برای اتاق های اچ پلاسما

ویژگی های پوشش SiC با دمای بالا برای اتاق های اچ پلاسما

- از لایه برداری خودداری کنید و از پوشش روی تمام سطوح اطمینان حاصل کنید

مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا: پایدار در دماهای بالا تا 1600 درجه سانتیگراد

خلوص بالا: ساخته شده توسط رسوب بخار شیمیایی CVD در شرایط کلرزنی با دمای بالا.

مقاومت در برابر خوردگی: سختی بالا، سطح متراکم و ذرات ریز.

مقاومت در برابر خوردگی: معرف های اسیدی، قلیایی، نمکی و آلی.

- دستیابی به بهترین الگوی جریان گاز آرام

- تضمین یکنواختی پروفیل حرارتی

- از هر گونه آلودگی یا انتشار ناخالصی ها جلوگیری کنید