اپیتاکسی SiC چیست؟

اپیتاکسی کاربید سیلیکون (SiC) یک فناوری کلیدی در زمینه نیمه هادی ها، به ویژه برای توسعه دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا است. SiC یک نیمه هادی مرکب با فاصله باند وسیع است که آن را برای کاربردهایی که نیاز به عملیات با دمای بالا و ولتاژ بالا دارند ایده آل می کند.

اپیتاکسی SiC فرآیند رشد یک لایه نازک از مواد کریستالی بر روی یک بستر، معمولاً سیلیکون، با استفاده از روش‌های رسوب بخار شیمیایی (CVD) یا اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) است. لایه اپیتاکسیال ساختار کریستالی و جهت گیری یکسانی با بستر دارد که امکان تشکیل یک رابط با کیفیت بالا بین دو ماده را فراهم می کند.

اپیتاکسی SiC به طور گسترده در توسعه الکترونیک قدرت، از جمله دستگاه های قدرت مانند دیودها، ترانزیستورها و تریستورها استفاده شده است. این دستگاه ها در طیف گسترده ای از کاربردها مانند وسایل نقلیه الکتریکی، سیستم های انرژی تجدیدپذیر و منابع تغذیه استفاده می شوند.

در سال‌های اخیر، علاقه فزاینده‌ای به توسعه epitaxy SiC برای ساخت دستگاه‌های پرقدرت برای کاربردهایی مانند وسایل نقلیه الکتریکی و سیستم‌های انرژی تجدیدپذیر وجود داشته است. انتظار می‌رود که تقاضا برای این دستگاه‌ها در سال‌های آینده به سرعت رشد کند، که ناشی از نیاز به سیستم‌های انرژی کارآمدتر و پایدارتر است.

در پاسخ به این تقاضا، محققان و شرکت‌ها در حال سرمایه‌گذاری در توسعه فناوری epitaxy SiC با تمرکز بر بهبود کیفیت و کاهش هزینه‌های فرآیند هستند. به عنوان مثال، برخی از شرکت ها در حال توسعه اپیتاکسی SiC بر روی بسترهای بزرگتر برای کاهش هزینه هر ویفر هستند، در حالی که برخی دیگر در حال بررسی تکنیک های جدید برای کاهش تراکم عیوب هستند.

اپیتاکسی SiC همچنین در توسعه حسگرهای پیشرفته برای طیف وسیعی از کاربردها از جمله سنجش گاز، سنجش دما و سنجش فشار استفاده می شود. SiC دارای خواص منحصر به فردی است که آن را برای این کاربردها ایده آل می کند، مانند پایداری در دمای بالا و مقاومت در برابر محیط های خشن.