فرآیند ویفر اپیتاکسیال یک تکنیک حیاتی است که در تولید نیمه هادی استفاده می شود. این شامل رشد یک لایه نازک از مواد کریستالی در بالای یک بستر است که ساختار و جهت کریستالی یکسانی با بستر دارد. این فرآیند یک رابط با کیفیت بالا بین دو ماده ایجاد می کند و امکان توسعه دستگاه های الکترونیکی پیشرفته را فراهم می کند.

فرآیند ویفر اپیتاکسیال در تولید دستگاه های نیمه هادی مختلف از جمله دیودها، ترانزیستورها و مدارهای مجتمع استفاده می شود. این فرآیند معمولاً با استفاده از روش‌های رسوب بخار شیمیایی (CVD) یا اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) انجام می‌شود. این تکنیک ها شامل رسوب اتم های مواد بر روی سطح بستر، جایی که آنها یک لایه کریستالی را تشکیل می دهند، است.

فرآیند ویفر اپیتاکسیال یک تکنیک پیچیده و دقیق است که نیاز به کنترل دقیق بر پارامترهای مختلف مانند دما، فشار و سرعت جریان گاز دارد. رشد لایه اپیتاکسیال باید به دقت کنترل شود تا از تشکیل یک ساختار کریستالی با کیفیت بالا با چگالی نقص کم اطمینان حاصل شود.

کیفیت فرآیند ویفر اپیتاکسیال برای عملکرد دستگاه نیمه هادی حاصل حیاتی است. لایه اپیتاکسیال باید دارای ضخامت یکنواخت، چگالی نقص کم و سطح خلوص بالایی باشد تا از خواص الکترونیکی بهینه اطمینان حاصل شود. ضخامت و سطح دوپینگ لایه اپیتاکسیال را می توان دقیقاً برای دستیابی به خواص مورد نظر مانند رسانایی و فاصله باند کنترل کرد.

در سال‌های اخیر، فرآیند ویفر اپیتاکسیال در تولید دستگاه‌های نیمه‌رسانا با کارایی بالا، به‌ویژه در زمینه الکترونیک قدرت، اهمیت فزاینده‌ای پیدا کرده است. تقاضا برای دستگاه‌های با کارایی بالا با راندمان و قابلیت اطمینان بهبود یافته باعث توسعه فرآیندهای ویفر اپیتاکسیال پیشرفته شده است.

فرآیند ویفر اپیتاکسیال همچنین در توسعه حسگرهای پیشرفته از جمله سنسورهای دما، حسگرهای گاز و سنسورهای فشار استفاده می شود. این حسگرها به لایه‌های کریستالی با کیفیت بالا با ویژگی‌های الکترونیکی خاص نیاز دارند که می‌توان از طریق فرآیند ویفر اپیتاکسیال به دست آورد.