روش های رشد کریستال AlN

AlN به عنوان ماده نیمه هادی نسل سوم، نه تنها یک ماده مهم نور آبی و نور ماوراء بنفش است، بلکه یک ماده بسته بندی، عایق دی الکتریک و عایق مهم برای دستگاه های الکترونیکی و مدارهای مجتمع است، به ویژه مناسب برای دستگاه های با دمای بالا و پرقدرت. . علاوه بر این، AlN و GaN سازگاری حرارتی و شیمیایی خوبی دارند، AlN که به عنوان بستر همپای GaN استفاده می شود، می تواند به طور قابل توجهی چگالی نقص را در دستگاه های GaN کاهش دهد، عملکرد دستگاه را بهبود بخشد.

با توجه به چشم‌اندازهای کاربردی جذاب، تهیه کریستال‌های AlN با کیفیت بالا و اندازه بزرگ مورد توجه محققان داخلی و خارجی قرار گرفته است. در حال حاضر، بلورهای AlN به روش محلول، نیترید کردن مستقیم فلز آلومینیوم، اپیتاکسی فاز گاز هیدرید و انتقال فاز بخار فیزیکی (PVT) تهیه می‌شوند. در میان آنها، روش PVT با سرعت رشد بالا (تا 500-1000 میکرومتر در ساعت) و کیفیت کریستالی بالا (تراکم نابجایی زیر 103 سانتی‌متر مربع) به فناوری اصلی برای رشد کریستال‌های AlN تبدیل شده است.

رشد بلورهای AlN با روش PVT با تصعید، انتقال فاز گاز و تبلور مجدد پودر AlN انجام می شود و دمای محیط رشد تا 2300 ℃ است. اصل اساسی رشد بلورهای AlN با روش PVT نسبتا ساده است، همانطور که در معادله زیر نشان داده شده است:

2AlN(ها) ⥫⥬ 2Al(g) ＋N2(g)

مراحل اصلی فرآیند رشد به شرح زیر است: (1) تصعید پودر خام AlN. (2) حمل و نقل اجزای فاز گاز مواد خام؛ (3) جذب اجزای فاز گاز در سطح رشد. (4) انتشار سطح و هسته. و (5) فرآیند دفع [10]. تحت فشار اتمسفر استاندارد، بلورهای AlN به آرامی شروع به تجزیه به بخار Al و نیتروژن تنها در حدود 1700 درجه سانتیگراد می کنند و واکنش تجزیه AlN با رسیدن دما به 2200 درجه سانتیگراد به سرعت تشدید می شود.

مواد TaC مواد بوته رشد کریستال AlN واقعی در حال استفاده است، با خواص فیزیکی و شیمیایی عالی، هدایت حرارتی و الکتریکی عالی، مقاومت در برابر خوردگی شیمیایی و مقاومت در برابر شوک حرارتی خوب، که می تواند به طور موثری راندمان تولید و عمر مفید را بهبود بخشد.

Semicorex کیفیت بالایی را ارائه می دهدمحصولات پوشش TaCبا خدمات سفارشی اگر سؤالی دارید یا نیاز به جزئیات بیشتری دارید، لطفاً در تماس با ما دریغ نکنید.

تلفن تماس 86-13567891907

ایمیل: sales@semicorex.com