GaN در مقابل SiC

مواد متعددی در حال حاضر در دست بررسی هستند، از جملهکاربید سیلیکونبه عنوان یکی از امیدوار کننده ترین ها متمایز می شود. شبیه بهGaNدر مقایسه با سیلیکون دارای ولتاژهای عملیاتی بالاتر، ولتاژهای شکست بالاتر و رسانایی برتر است. علاوه بر این، به لطف هدایت حرارتی بالا،کاربید سیلیکونمی توان از آن در محیط هایی با دمای شدید استفاده کرد. در نهایت، اندازه آن به طور قابل توجهی کوچکتر است و در عین حال می تواند قدرت بیشتری را تحمل کند.

با اينكهSiCیک ماده مناسب برای تقویت کننده های قدرت است، برای کاربردهای فرکانس بالا مناسب نیست. از سوی دیگر،GaNماده ترجیحی برای ساخت تقویت کننده های قدرت کوچک است. با این حال، مهندسان هنگام ترکیب با یک چالش مواجه شدندGaNبا ترانزیستورهای سیلیکونی MOS نوع P، زیرا فرکانس و کارایی آن را محدود می کندGaN. در حالی که این ترکیب قابلیت های مکمل را ارائه می کرد، راه حل ایده آلی برای مشکل نبود.

با پیشرفت فناوری، محققان ممکن است در نهایت دستگاه‌های GaN نوع P یا دستگاه‌های مکمل را با استفاده از فناوری‌های مختلف بیابند که می‌توانند با آنها ترکیب شوند.GaN. اما تا آن روزGaNهمچنان توسط فناوری زمان ما محدود خواهد شد.

پیشرفت ازGaNفناوری نیازمند تلاش مشترک بین علم مواد، مهندسی برق و فیزیک است. این رویکرد میان رشته ای برای غلبه بر محدودیت های فعلی ضروری استGaNفن آوری. اگر بتوانیم پیشرفت‌هایی در توسعه GaN نوع P داشته باشیم یا مواد مکمل مناسب را پیدا کنیم، نه تنها عملکرد دستگاه‌های مبتنی بر GaN را بهبود می‌بخشد، بلکه به حوزه وسیع‌تر فناوری نیمه‌رسانا کمک می‌کند. این می تواند راه را برای سیستم های الکترونیکی کارآمدتر، فشرده تر و قابل اعتمادتر در آینده هموار کند.