- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار صنعت
لایه های اپیتاکسیال: پایه دستگاه های نیمه هادی پیشرفته
در صنعت نیمه هادی، لایه های همپایی با تشکیل لایه های نازک تک کریستالی خاص در بالای یک بستر ویفر، که در مجموع به عنوان ویفر همپایی شناخته می شوند، نقش مهمی ایفا می کنند. به ویژه، لایه‌های اپیتاکسیال کاربید سیلیکون (SiC) که بر روی بسترهای SiC رسانا رشد می‌کنند، ویفرهای همگن SiC همگن تولید می‌کنند که د......
ادامه مطلب
نقش حیاتی لایه های اپیتاکسیال در دستگاه های نیمه هادی
رشد اپیتاکسیال به فرآیند رشد یک لایه تک کریستالی که از نظر کریستالوگرافی به خوبی مرتب شده روی یک بستر اشاره دارد. به طور کلی، رشد اپیتاکسیال شامل کشت یک لایه کریستالی بر روی یک بستر تک کریستالی است که لایه رشد یافته همان جهت کریستالوگرافی را با بستر اصلی دارد. اپیتاکسی به طور گسترده در تولید نیمه ها......
ادامه مطلب
جهش و چشم انداز بازار دستگاه های برق کاربید سیلیکون (SiC).
همانطور که پذیرش جهانی خودروهای الکتریکی به تدریج افزایش می یابد، کاربید سیلیکون (SiC) در دهه آینده با فرصت های رشد جدیدی روبرو خواهد شد. پیش بینی می شود که سازندگان نیمه هادی های قدرت و اپراتورهای صنعت خودرو فعالانه تر در ساخت زنجیره ارزش این بخش مشارکت کنند.
ادامه مطلب
کنترل دوپینگ در رشد SiC تصعید
کاربید سیلیکون (SiC) به دلیل خواص الکتریکی و حرارتی عالی خود، نقش مهمی در ساخت لوازم الکترونیکی قدرت و دستگاه های فرکانس بالا ایفا می کند. کیفیت و سطح دوپینگ کریستال های SiC به طور مستقیم بر عملکرد دستگاه تأثیر می گذارد، بنابراین کنترل دقیق دوپینگ یکی از فناوری های کلیدی در فرآیند رشد SiC است.
ادامه مطلب
