اپیتاکسی کاربید سیلیکون (SiC) یک فناوری کلیدی در زمینه نیمه هادی ها، به ویژه برای توسعه دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا است. SiC یک نیمه هادی مرکب با فاصله باند وسیع است که آن را برای کاربردهایی که نیاز به عملیات با دمای بالا و ولتاژ بالا دارند ایده آل می کند.
شش طبقه بندی برای نیمه هادی ها وجود دارد که بر اساس استاندارد محصول، نوع سیگنال پردازش، فرآیند تولید، عملکرد استفاده، زمینه کاربرد و روش طراحی طبقه بندی می شوند.
نیمه هادی ها موادی هستند که خواص الکتریکی را بین هادی ها و عایق ها هدایت می کنند، با احتمال یکسانی از دست دادن و افزایش الکترون ها در بیرونی ترین لایه هسته اتم، و به راحتی به اتصالات PN تبدیل می شوند. مانند «سیلیکون (Si)»، «ژرمانیوم (Ge)» و مواد دیگر.