حامل SIC برای ICP

مهندسی شده برای پاسخگویی به خواسته های غیر قابل انعطاف از الماس و ابزارهای اچ و رسوب مدرن مدرن (ICP) ، حامل گرافیت با روکش نیمه نیمه برای ICP تعادل نادر از مقاومت پلاسما ، دقت حرارتی و ثبات مکانیکی را ارائه می دهد. در هسته آن یک بستر گرافیت اختصاصی و کوچک کوچک قرار دارد که جهت گیری کریستال آن به سختی کنترل می شود تا رفتار ناهمسانگرد فوق العاده ای را تولید کند: هدایت حرارتی درون هواپیما از نمرات ایزوستاتیک معمولی فراتر می رود ، در حالی که مسیر از طریق هواپیما عمدتاً تعدیل می شود تا بتواند نقاط گرم را سرکوب کند. این مدیریت جریان گرمای جهت تضمین می کند که هر درگذشت در یک ویفر 150 میلی متر تا 300 میلی متر ، درجه حرارت یکنواخت و تعادل حالت پایدار را تجربه می کند ، و مستقیماً به توزیع بحرانی (CD) و بازده دستگاه بالاتر تبدیل می شود.

پیچیده شده در اطراف این گرافیت فوق العاده ، یک لایه سیلیکون کربید کنفورماولیک است که در یک کوره CVD با دما بالا جمع شده است. پوشش SIC - از نظر شیمیایی تا 2000 درجه سانتیگراد بی اثر و دارای یک میکرولوژیکی کمتر از 0.1 ٪ یک سپر غیرقابل نفوذ در برابر رادیکال های فلورین ، کلر و برمین که در شیمی ICP با چگالی بالا رایج است. آزمایش استقامتی طولانی مدت در CF₄/O₂ ، CL₂/BCL₃ و HBR/HE PLASMAS میزان فرسایش زیر 0.3 میکرومتر 100 ساعت را نشان داده است ، و عمر خدمات حامل را بسیار فراتر از هنجارهای صنعت گسترش داده و به طرز چشمگیری کاهش می یابد.

دقت بعدی به همان اندازه غیر سازگار است: صافی سطح در کل منطقه جیب زده در 5 میکرومتر کنترل می شود ، در حالی که ویژگی های محرومیت لبه برای محافظت از محیط ویفر در برابر میکروارچر بودن از لیزر استفاده می شود. تحمل محکم ، همراه با سختی نزدیک به Diamond پوشش SIC ، در برابر تولید ذرات تحت پوشش مکانیکی و دوچرخه سواری الکترواستاتیک - محافظت از فرآیندهای گره زیر 10nm از آلودگی نقص قاتل مقاومت می کند. برای راکتورهای ICP با قدرت بالا ، مقاومت الکتریکی کم حامل (<40μΩ · M) باعث تثبیت سریع هواپیما RF می شود ، به حداقل رساندن نوسانات ولتاژ غلاف که در غیر این صورت می تواند پروفایل های فوتوسیستی را از بین ببرد یا القاء میکرو micking شود.

هر دسته از حامل های نیمورکس تحت اندازه شناسی جامع قرار می گیرند - نقشه برداری رامان برای تأیید تراز کریستالوگرافی گرافیتی ، بخش متقابل SEM برای تأیید یکپارچگی لایه SIC ، و تجزیه و تحلیل GAS باقیمانده برای تأیید آستانه های ناخالصی سطح PPM. از آنجا که ما در تولید میکرو (کمتر از 20 قطعه در هر اجرا) اصرار داریم ، نمودارهای کنترل فرآیند آماری فوق العاده محکم هستند و به ما این امکان را می دهد تا تکرارپذیری ویفر - به - wafer را تضمین کنیم که تأمین کنندگان بازار انبوه به سادگی نمی توانند مطابقت داشته باشند. هندسه های سفارشی ، عمق جیب و کانال های خنک کننده پشتی با زمان سرب به اندازه سه هفته در دسترس هستند ، تجهیزات تجهیزات و فاب های با رنگ بالا را برای بهینه سازی دستور العمل های محفظه بدون طراحی مجدد کل پشته های سخت افزاری در دسترس قرار می دهند.

با متحد کردن گرافیت ناهمسانگرد کلاس جهانی با یک زره Sic هرمتیک ، حامل SIC Semicorex برای ICP با یک سکوی طولانی مدت ، آلودگی - یکپارچه و یکنواخت یکنواخت فراهم می کند - که نه تنها در برابر محیط های سخت پلاسما را تحمل می کند ، بلکه به طور فعال باعث تقویت پنجره های عرضه و عملکرد سطح می شود. برای تولید کنندگان دستگاه هایی که به سمت پهنای باند های همیشه محکم ، پروفایل های تندتر و هزینه پایین تر مالکیت تلاش می کنند ، این حامل انتخاب است که در آن هر میکرون ، هر ویفر و هر ساعت از زمان به روز شمارش می شود.