گیرنده بشکه ای گرافیتی با پوشش SiC

گیره بشکه ای گرافیتی پوشش داده شده Semicorex SiC گزینه مناسبی برای کاربردهای تولید نیمه هادی است که به توزیع حرارت استثنایی و هدایت حرارتی نیاز دارند. پوشش SiC با خلوص بالا و چگالی برتر آن، خواص حفاظتی و توزیع حرارت عالی را ارائه می‌کند و عملکرد قابل اعتماد و پایدار را حتی در چالش‌برانگیزترین محیط‌ها تضمین می‌کند.

گیرنده بشکه ای گرافیتی با پوشش SiC ما برای دستیابی به بهترین الگوی جریان گاز آرام طراحی شده است و از یکنواختی پروفیل حرارتی اطمینان حاصل می کند. این به جلوگیری از هرگونه آلودگی یا انتشار ناخالصی ها کمک می کند و از رشد اپیتاکسیال با کیفیت بالا بر روی تراشه ویفر اطمینان می دهد.

امروز با ما تماس بگیرید تا در مورد گیره بشکه ای گرافیتی با پوشش SiC بیشتر بدانید.

پارامترهای گیرنده بشکه ای گرافیتی با پوشش SiC

ویژگی های گیربکس بشکه ای گرافیتی با پوشش SiC

- هم بستر گرافیت و هم لایه کاربید سیلیکون چگالی خوبی دارند و می توانند نقش محافظتی خوبی در دمای بالا و محیط های کاری خورنده داشته باشند.

- سوسپتور با روکش کاربید سیلیکون که برای رشد تک کریستال استفاده می شود، صافی سطحی بسیار بالایی دارد.

- کاهش اختلاف ضریب انبساط حرارتی بین بستر گرافیت و لایه کاربید سیلیکون، به طور موثری استحکام پیوند را برای جلوگیری از ترک خوردگی و لایه لایه شدن بهبود می بخشد.

- هر دو لایه گرافیت و لایه کاربید سیلیکون دارای رسانایی حرارتی بالا و خواص توزیع گرما عالی هستند.

- نقطه ذوب بالا، مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا، مقاومت در برابر خوردگی.