حلقه فوکوس SiC

حلقه فوکوس Semicorex SiC یک جزء حلقه شکل با مهندسی دقیق است که توسط کاربید سیلیکون با خلوص بالا تولید می شود. حلقه فوکوس SiC برای کاربردهای پیشرفته پردازش نیمه هادی طراحی شده است. کاربید سیلیکون با خلوص بالا عملکرد عالی را از نظر پایداری حرارتی (نقطه ذوب بالا)، دوام مکانیکی (سختی بالا) و خواص هدایت الکتریکی ارائه می‌کند که برای مطابقت با مشخصات بسیاری از فناوری‌های نسل بعدی ساخت ویفر بسیار مهم است. حلقه فوکوس SiC اجزایی هستند که در اجزای محفظه رسوب و اچ پلاسما یافت می شوند و نقش اساسی در کنترل توزیع پلاسما، دستیابی به یکنواختی ویفر و بازده در تولید انبوه دارند.

خلوص مواد و عملکرد الکتریکی حلقه فوکوس SiC از مهمترین عواملی است که این جزء را تعریف کرده و آن را از مواد سرامیکی متمایز می کند. خلوص بالاکاربید سیلیکونبر خلاف مواد سرامیکی سنتی است، زیرا ترکیبی از 

سختی و همچنین مقاومت در برابر بسیاری از مواد شیمیایی و خواص الکتریکی منحصر به فرد. مهمتر از همه، کاربید سیلیکون با خلوص بالا را می توان با استفاده از مواد ناخالص و روش های پردازش برای تولید مناسب ترین سطوح عملکرد رسانا یا توهین آمیز با تعادل نیمه رسانا ایده آل برای تعامل با پلاسما مهندسی کرد، که امکان عملکرد پایدار در محیط های پر انرژی را فراهم می کند که در آن تجمع بار و عدم تعادل الکتریکی به احتمال زیاد باعث خطای فرآیند می شود.

به دلیل اثر لبه پلاسما، چگالی در مرکز بیشتر و در لبه ها کمتر است. حلقه فوکوس از طریق شکل حلقوی و خواص مواد CVD SiC، یک میدان الکتریکی خاص تولید می کند. این میدان ذرات باردار (یون ها و الکترون ها) در پلاسما را به سطح ویفر، به ویژه در لبه، هدایت و محدود می کند. این به طور موثر چگالی پلاسما را در لبه افزایش می دهد و آن را به مرکز آن نزدیک می کند. این امر به طور قابل توجهی یکنواختی اچ را در سراسر ویفر بهبود می بخشد، آسیب لبه را کاهش می دهد و عملکرد را افزایش می دهد.

Mercury Manufacturing حلقه فوکوس SiC را با استفاده از فرآیندهای ماشینکاری و صیقل کاری پیچیده که به تحمل ابعادی محکم و پرداخت سطحی صاف دست می یابد، پردازش می کند. دقت ابعادی این اجزا، سازگاری با تامین‌کنندگان مختلف تجهیزات نیمه‌رسانا را امکان‌پذیر می‌سازد تا از قابلیت تعویض در بسیاری از سیستم‌های اچ و رسوب پلاسما اطمینان حاصل شود. طرح‌های سفارشی همچنین می‌توانند برای برآورده کردن الزامات فرآیندی خاص از جمله ضخامت حلقه، قطر داخلی و خارجی و سطوح هدایت سطحی ایجاد شوند.

کاربردهای حلقه فوکوس SiC طیف وسیعی را در ساخت نیمه هادی ها پوشش می دهد: DRAM، فلاش NAND، دستگاه های منطقی و فن آوری های جدید نیمه هادی قدرت. با کوچک شدن هندسه دستگاه و ادامه پیشرفت در گره های فرآیند، نیاز به اجزای محفظه پایدار بسیار قابل اعتماد مانند حلقه فوکوس SiC حیاتی می شود. حلقه فوکوس SiC کنترل دقیق پلاسما را فراهم می کند و به طور مداوم کیفیت ویفر را بهبود می بخشد و جاه طلبی های صنعت را به سمت دستگاه های الکترونیکی کوچکتر، سریعتر و کارآمدتر ارتقا می دهد. حلقه فوکوس Semicorex SiC نقطه تقاطع علم مواد، مهندسی دقیق و تکامل فرآیند نیمه هادی را تعریف می کند. حلقه فوکوس SiC دارای پایداری حرارتی عالی، مقاومت شیمیایی عالی و رسانایی الکتریکی تقریباً خاص است. این ویژگی ها آن را به یک جزء حیاتی در تضمین قابلیت اطمینان و بازده در طول فرآیندها تبدیل می کند.