دیسک اچینگ SiC ICP

استفاده از دیسک اچینگ Semicorex SiC ICP نشان دهنده یک سرمایه گذاری استراتژیک در بهینه سازی فرآیند، قابلیت اطمینان و در نهایت عملکرد برتر دستگاه نیمه هادی است. مزایا ملموس است:

دقت و یکنواختی اچینگ پیشرفته:ثبات حرارتی و ابعادی برتر دیسک اچینگ SiC ICP به نرخ های اچینگ یکنواخت تر و کنترل دقیق ویژگی کمک می کند، تنوع ویفر به ویفر را به حداقل می رساند و بازده دستگاه را بهبود می بخشد.

افزایش طول عمر دیسک:سختی و مقاومت فوق‌العاده دیسک اچینگ SiC ICP در برابر سایش و خوردگی، طول عمر دیسک را به میزان قابل توجهی در مقایسه با مواد معمولی افزایش می‌دهد و هزینه‌های تعویض و زمان خرابی را کاهش می‌دهد.

سبک وزن برای عملکرد پیشرفته:با وجود استحکام فوق‌العاده‌اش، دیسک اچینگ SiC ICP یک ماده به‌طور شگفت‌آور سبک وزن است. این جرم کمتر به کاهش نیروهای اینرسی در طول چرخش تبدیل می‌شود و چرخه‌های شتاب و کاهش سرعت سریع‌تر را امکان‌پذیر می‌کند، که توان پردازش و کارایی تجهیزات را بهبود می‌بخشد.

افزایش بازده و بهره وری:طبیعت سبک دیسک اچینگ SiC ICP و توانایی مقاومت در برابر چرخه حرارتی سریع به زمان پردازش سریع تر و افزایش توان عملیاتی، به حداکثر رساندن استفاده از تجهیزات و بهره وری کمک می کند.

کاهش خطر آلودگی:بی اثر بودن و مقاومت شیمیایی دیسک اچینگ SiC ICP در برابر اچ پلاسما، خطر آلودگی ذرات را به حداقل می رساند، که برای حفظ خلوص فرآیندهای نیمه هادی حساس و تضمین کیفیت دستگاه بسیار مهم است.

کاربردهای CVD و کندوپاش خلاء:فراتر از حکاکی، ویژگی‌های استثنایی SiC ICP Etching Disk همچنین آن را برای استفاده به عنوان بستر در فرآیندهای رسوب بخار شیمیایی (CVD) و کندوپاش خلاء مناسب می‌سازد، جایی که پایداری آن در دمای بالا و بی‌اثری شیمیایی ضروری است.