گیرنده SiC برای ICP Etch

یکی از ویژگی های برجسته SiC Susceptor برای ICP Etch مقاومت آن در برابر ضربه پلاسما است. این مقاومت تضمین می کند که گیرنده تحت شرایط سخت بمباران پلاسما، که در این فرآیندهای اچ کردن رایج است، تحلیل نمی رود یا فرسایش نمی یابد. این دوام قابلیت اطمینان فرآیند اچ را افزایش می دهد و به تولید الگوهای اچ تمیز و کاملاً مشخص با حداقل نقص کمک می کند.

SiC Susceptor برای ICP Etch ذاتاً در برابر خوردگی توسط اسیدهای قوی و قلیاها مقاوم است، که یک خاصیت ضروری برای مواد مورد استفاده در محیط های اچینگ ICP است. این مقاومت شیمیایی تضمین می کند که SiC Susceptor برای ICP Etch خواص فیزیکی و مکانیکی خود را در طول زمان حفظ کند، حتی زمانی که در معرض معرف های شیمیایی تهاجمی قرار می گیرد. این دوام نیاز به تعویض و نگهداری مکرر را کاهش می دهد و در نتیجه هزینه های عملیاتی را کاهش می دهد و زمان کار تاسیسات ساخت نیمه هادی را افزایش می دهد.

Semicorex SiC Susceptor برای ICP Etch را می توان دقیقاً برای برآوردن نیازهای ابعادی خاص مهندسی کرد، که یک عامل مهم در تولید نیمه هادی است که در آن اغلب به سفارشی سازی برای تطبیق با اندازه های مختلف ویفر و مشخصات پردازش نیاز است. این سازگاری امکان ادغام بهتر با تجهیزات و خطوط فرآیند موجود را فراهم می کند و کارایی و اثربخشی کلی فرآیند اچ را بهینه می کند.