Semicorex ALD Planetary Susceptor در تجهیزات ALD به دلیل توانایی آنها در مقاومت در برابر شرایط پردازش سخت مهم است و از رسوب فیلم با کیفیت بالا برای کاربردهای مختلف اطمینان حاصل می کند. از آنجایی که تقاضا برای دستگاه های نیمه هادی پیشرفته با ابعاد کوچکتر و عملکرد پیشرفته همچنان در حال رشد است، انتظار می رود استفاده از ALD Planetary Susceptor در ALD بیشتر گسترش یابد.**
برنامه های کاربردی:
رسوب دی الکتریک با k بالا: ALD Planetary Susceptor مقاومت عالی در برابر پیش سازهای تهاجمی مورد استفاده در رسوب مواد دی الکتریک با k بالا مانند اکسید هافنیوم (HfO2) و اکسید آلومینیوم (Al2O3) نشان می دهد. این باعث می شود که ALD Planetary Susceptor برای ساخت ترانزیستورهای با کارایی بالا برای کاربردهای منطقی و حافظه مناسب باشد.
لایه های متالیزاسیون: پایداری ALD Planetary Susceptor در دمای بالا امکان رسوب لایههای فلزی شدن را در دماهای بالا میدهد که منجر به بهبود خواص فیلم مانند مقاومت کمتر و چگالی بیشتر میشود. این برای ایجاد اتصالات کارآمد در دستگاه های نیمه هادی پیشرفته بسیار مهم است.
ساخت دستگاه اپتوالکترونیک:ماهیت بی اثر ALD Planetary Susceptor واکنش های ناخواسته با پیش سازهای مورد استفاده در رسوب گذاری مواد حساس مانند نیمه هادی های III-V را به حداقل می رساند و باعث می شود که ALD Planetary Susceptor برای ساخت LED ها، لیزرها و سایر اجزای اپتوالکترونیک مناسب باشد.
چرخه ALD
رسوب لایه اتمی (ALD)چندین مزیت کلیدی را نسبت به سایر تکنیکهای رسوب لایه نازک ارائه میدهد که باعث محبوبیت فزایندهای برای کاربردهای مختلف، به ویژه در میکروالکترونیک و نانوتکنولوژی میشود.
در اینجا برخی از مزایای کلیدی ALD آورده شده است:
1. کنترل ضخامت سطح آنگستروم:
ALD امکان کنترل دقیق ضخامت لایه تا سطح آنگستروم (0.1 نانومتر) را فراهم می کند. این سطح از دقت از طریق واکنشهای سطحی خود محدود شونده به دست میآید، جایی که هر چرخه یک لایه اتمی منفرد را رسوب میدهد.
2. یکنواختی و انطباق عالی:
ALD یکنواختی استثنایی را در سطوح بزرگ و ساختارهای سه بعدی پیچیده، از جمله ویژگیهای با نسبت تصویر بالا مانند ترانشهها و vias نشان میدهد. این برای کاربردهایی که نیاز به پوشش های یکنواخت در هندسه های پیچیده دارند، مانند دستگاه های نیمه هادی بسیار مهم است.
3. دمای رسوب پایین:
ALD را می توان در دماهای نسبتاً پایین (اغلب زیر 300 درجه سانتیگراد) در مقایسه با سایر تکنیک های رسوب گذاری انجام داد. این برای بسترهای حساس به حرارت مفید است و استفاده از طیف وسیع تری از مواد را امکان پذیر می کند.
4. فیلم های با کیفیت بالا:
ALD معمولاً فیلم هایی با چگالی عالی، سطوح ناخالصی کم و یکنواختی بالا در ترکیب و ضخامت تولید می کند. این ویژگی ها برای دستیابی به عملکرد بهینه در کاربردهای مختلف ضروری هستند.
5. انتخاب گسترده مواد:
ALD طیف گسترده ای از مواد قابل رسوب گذاری را ارائه می دهد، از جمله اکسیدها، نیتریدها، فلزات و سولفیدها. این تطبیق پذیری آن را برای طیف وسیعی از کاربردها مناسب می کند.
6. مقیاس پذیری و کاربرد صنعتی:
فناوری ALD بسیار مقیاس پذیر است و می تواند به راحتی در فرآیندهای تولید موجود ادغام شود. با اندازه ها و شکل های مختلف بستر سازگار است و برای تولید در حجم بالا مناسب است.