ویفر کریستال تک

Semicorex aln Single Crystal Wafer یک پیشرفت انقلابی در فناوری نیمه هادی است و ترکیبی منحصر به فرد از خواص الکتریکی ، حرارتی و مکانیکی استثنایی را ارائه می دهد. به عنوان یک ماده نیمه هادی باند فوق العاده گسترده با باند باند 6.2 ولت ، ALN به طور فزاینده ای به عنوان بستر بهینه برای دستگاههای نوری با قدرت بالا ، فرکانس بالا و ماوراء بنفش عمیق (UV) شناخته می شود. این خصوصیات ALN را به عنوان یک جایگزین برتر برای بسترهای سنتی مانند یاقوت کبود ، کاربید سیلیکون (SIC) و نیترید گالیم (GAN) ، به ویژه در برنامه هایی که خواستار ثبات حرارتی شدید ، ولتاژ با شکست زیاد و هدایت حرارتی برتر هستند ، قرار می دهند.

در حال حاضر ، Wafer Crystal Single Crystal از نظر تجاری در اندازه های 2 اینچ قطر در دسترس است. با ادامه تلاش های تحقیق و توسعه ، پیش بینی می شود پیشرفت در فن آوری های رشد کریستال اندازه ویفر بزرگتر ، افزایش مقیاس پذیری تولید و کاهش هزینه های کاربردهای صنعتی را فراهم کند.

مشابه رشد کریستال تک SIC ، کریستال های تک ALN با روش ذوب نمی شوند اما فقط با حمل و نقل بخار فیزیکی (PVT) قابل رشد هستند.

سه استراتژی رشد مهم برای رشد PVT کریستال تک وجود دارد:

1) رشد خودبخود هسته

2) رشد هتروپیتاکسی در بستر 4H-/6H-SIC

3) رشد homoepitaxial

ویفر کریستال تک آلن با باند فوق العاده گسترده آنها از 6.2 ولت متمایز است ، که عایق الکتریکی استثنایی و عملکرد UV عمیق بی نظیر را تضمین می کند. این ویفرها دارای یک میدان الکتریکی با شکست بالا هستند که از SIC و GAN فراتر می رود و آنها را به عنوان انتخاب بهینه برای دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا قرار می دهد. آنها با یک هدایت حرارتی چشمگیر تقریباً 320 W/mk ، آنها از اتلاف گرمای کارآمد ، یک نیاز مهم برای کاربردهای با قدرت بالا اطمینان می یابد. ALN نه تنها از نظر شیمیایی و حرارتی پایدار است بلکه عملکرد برتر را در محیط های شدید حفظ می کند. مقاومت در برابر تابش برتر آن ، آن را به گزینه ای بی نظیر برای برنامه های فضا و هسته ای تبدیل می کند. علاوه بر این ، خصوصیات قابل توجه پیزوالکتریک آن ، سرعت اره بالا و اتصال الکترومکانیکی قوی آن را به عنوان کاندیدای برجسته برای دستگاه های اره ، فیلترها و سنسورها تعیین می کند.

Wafer تک کریستال ALN کاربردهای گسترده ای را در دستگاه های مختلف الکترونیکی و نوری با کارایی بالا پیدا می کند. آنها به عنوان بستر ایده آل برای Optoelectronics Ultraviolet (DUV) ، از جمله LED های Deep UV که در محدوده 200-280 نانومتر برای عقیم سازی ، تصفیه آب و کاربردهای زیست پزشکی و همچنین دیودهای لیزر UV (LDS) مورد استفاده در زمینه های پیشرفته صنعت و پزشکی استفاده می شوند ، خدمت می کنند. ALN همچنین به طور گسترده ای در دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا و با فرکانس بالا ، به ویژه در فرکانس رادیویی (RF) و اجزای مایکروویو مورد استفاده قرار می گیرد ، جایی که ولتاژ شکست بالا و پراکندگی الکترونی کم آن از عملکرد برتر در تقویت کننده های برق و سیستم های ارتباطی اطمینان می دهد. علاوه بر این ، این نقش اساسی در الکترونیک برق دارد و باعث افزایش کارایی اینورترها و مبدل ها در وسایل نقلیه برقی ، سیستم های انرژی تجدید پذیر و کاربردهای هوافضا می شود. علاوه بر این ، خصوصیات پیزوالکتریک عالی ALN و سرعت اره بالا آن را به یک ماده بهینه برای موج آکوستیک سطحی (SAW) و دستگاه های فله آکوستیک موج (BAW) تبدیل می کند که برای ارتباطات از راه دور ، پردازش سیگنال و فن آوری های سنجش ضروری است. با توجه به هدایت حرارتی استثنایی ، ALN همچنین یک ماده کلیدی در راه حل های مدیریت حرارتی برای LED های با قدرت بالا ، دیودهای لیزر و ماژول های الکترونیکی است و باعث اتلاف گرمای مؤثر و بهبود طول عمر دستگاه می شود.

ویفر کریستالی SEMICOREX ALN نشان دهنده آینده بسترهای نیمه هادی است و خواص بی نظیر الکتریکی ، حرارتی و پیزوالکتریک را ارائه می دهد. برنامه های کاربردی آنها در دستگاه های عمق اشعه ماوراء بنفش ، الکترونیک برق و دستگاه های موج آکوستیک آنها را به یک ماده بسیار مورد جستجو برای فناوری نسل بعدی تبدیل می کند. با افزایش قابلیت های ساخت ، وفرهای الن به یک مؤلفه ضروری دستگاههای نیمه هادی با کارایی بالا تبدیل می شوند و راه را برای پیشرفت های نوآورانه در صنایع مختلف هموار می کنند.