سر دوش CVD با پوشش SiC

سر دوش CVD که از گرافیت با خلوص بالا ساخته شده و در یک لایه SiC نازک از طریق روش CVD پوشانده شده است، با ویژگی‌های سودمند گرافیت و SiC ترکیب می‌شود. این هم افزایی منجر به مولفه ای می شود که نه تنها در حصول اطمینان از توزیع منسجم و دقیق گازها برتری دارد، بلکه دارای انعطاف پذیری قابل توجهی در برابر سختی های حرارتی و شیمیایی است که اغلب در محیط های رسوبی با آن مواجه می شوند.

کلید عملکرد سر دوش CVD با پوشش SiC، مهارت آن در پخش یکنواخت گازهای پیش ساز در سطح زیرلایه است، وظیفه ای که با قرار دادن استراتژیک آن در بالای بستر و طراحی دقیق سوراخ ها یا نازل های کوچک که سطح آن را سوراخ می کنند به دست می آید. این توزیع یکنواخت برای دستیابی به نتایج رسوب ثابت بسیار مهم است.

انتخاب SiC به عنوان یک ماده پوشش برای سر دوش CVD با پوشش SiC دلخواه نیست، بلکه به دلیل هدایت حرارتی عالی و پایداری شیمیایی آن است. این ویژگی‌ها برای کاهش انباشت گرما در طول فرآیند رسوب‌گذاری و حفظ دمای یکنواخت در سطح زیرلایه، علاوه بر ایجاد دفاعی قوی در برابر گازهای خورنده و شرایط سختی که فرآیندهای CVD را مشخص می‌کنند، ضروری هستند.

طراحی سر دوش CVD با پوشش SiC که برای پاسخگویی به نیازهای خاص سیستم‌های CVD مختلف و الزامات فرآیند طراحی شده است، شامل یک صفحه یا دیسک شکل است که با مجموعه‌ای از سوراخ‌ها یا شکاف‌ها به دقت محاسبه شده است. سر دوش CVD با طراحی SiC Coat نه تنها توزیع یکنواخت گاز را تضمین می‌کند، بلکه نرخ جریان بهینه برای فرآیند رسوب‌گذاری را نیز تضمین می‌کند، و نقش قطعه را به عنوان یک پایه اتصال در پیگیری دقت و یکنواختی در فرآیندهای رسوب‌گذاری مواد برجسته می‌کند.