گیرنده Epi-SiC

Semicorex Epi-SiC Susceptor ترکیبی از استقامت در دمای بالا، بی اثری شیمیایی، و انتشار حرارتی برتر، به عنوان نمونه ای از انعطاف پذیری و کارایی در مواجهه با شرایط شدید مترادف با تلاش های رشد اپیتاکسی است. استفاده از یک پوشش SiC به طور قابل توجهی ویژگی های حرارتی گیرنده Epi-SiC را افزایش می دهد. این بهبود توزیع حرارتی یکنواخت را که برای گرم کردن ویفرها ضروری است، تسهیل می‌کند، که برای رسوب لایه‌های همپایه با کیفیت بالا در سراسر ویفرهای نیمه‌رسانا ضروری است.

Epi-SiC Susceptor که برای پاسخگویی به نیازهای دقیق فرآیندهای اپیتاکسیال ویفر ساخته شده است، زیربنای انتقال یکپارچه ویفرها در محیط کوره است. طراحی مستحکم آن سدی در برابر جابجایی ویفر یا به خطر افتادن آن است، در نتیجه بروز آسیب را در سراسر مراحل حیاتی توسعه لایه همپایی کاهش می دهد. علاوه بر این، Epi-SiC Susceptor به عنوان یک مانع محافظ برای بستر گرافیت در زیر عمل می‌کند و از آن در برابر فعل و انفعالات شیمیایی و سایشی که ممکن است فرآیندهای همپایی ممکن است ایجاد کنند، محافظت می‌کند.

ادغام یک هسته گرافیتی ارتجاعی با پوشش محافظ SiC نه تنها معیارهای عملکرد Epi-SiC Susceptor را تقویت می کند، بلکه عمر مفید آن را نیز به میزان قابل توجهی افزایش می دهد. نتیجه سرمایه‌گذاری است که سود سهام را در قالب پس‌اندازهای عملیاتی پایدار برای شرکت‌های تولید نیمه‌رسانا به همراه می‌آورد، و Epi-SiC Susceptor را به عنوان یک انتخاب عاقلانه برای کسانی که به دنبال بهینه‌سازی عملیات تولید خود هستند، قرار می‌دهد.