گیرنده اپیتاکسی MOCVD

مزایای کاربردهای اپیتاکسی خواستار:

خلوص فوق العاده بالا:را MOCVD Epitaxy Susceptor برای دستیابی به سطوح خلوص فوق العاده بالا ساخته شده است و خطر ادغام ناخالصی های ناخواسته در لایه های اپیتاکسیال در حال رشد را به حداقل می رساند. این خلوص استثنایی برای حفظ تحرک بالای حامل، دستیابی به پروفایل های دوپینگ بهینه، و در نهایت، تحقق دستگاه های نیمه هادی با کارایی بالا بسیار مهم است.

مقاومت استثنایی در برابر شوک حرارتی:MOCVD Epitaxy Susceptor مقاومت قابل توجهی در برابر شوک حرارتی نشان می‌دهد، در برابر تغییرات سریع دما و شیب‌های ذاتی فرآیند MOCVD مقاومت می‌کند. این پایداری عملکرد ثابت و قابل اعتماد را در طول مراحل بحرانی گرمایش و سرمایش تضمین می‌کند و خطر خم شدن ویفر، نقص‌های ناشی از استرس و وقفه‌های فرآیند را به حداقل می‌رساند.

مقاومت شیمیایی برتر:MOCVD Epitaxy Susceptor مقاومت استثنایی در برابر طیف گسترده ای از گازهای واکنش پذیر و مواد شیمیایی مورد استفاده در MOCVD، از جمله محصولات جانبی خورنده که می توانند در دماهای بالا تشکیل شوند، نشان می دهد. این بی‌اثر بودن از آلودگی لایه‌های اپیتاکسیال جلوگیری می‌کند و خلوص مواد نیمه‌رسانای رسوب‌شده را تضمین می‌کند، که برای دستیابی به خواص الکتریکی و نوری مورد نظر حیاتی است.

در دسترس بودن در Complex اشکال: MOCVD Epitaxy Susceptor را می توان دقیقاً به شکل ها و هندسه های پیچیده ماشین کاری کرد تا دینامیک جریان گاز و یکنواختی دما را در راکتور MOCVD بهینه کند. این قابلیت طراحی سفارشی، گرمایش یکنواخت ویفرهای زیرلایه را ممکن می‌سازد و تغییرات دما را به حداقل می‌رساند که می‌تواند منجر به رشد اپیتاکسیال ناسازگار و عملکرد دستگاه شود.