- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار
ویفر سیلیکونی
ماده سیلیکون یک ماده جامد با خواص الکتریکی نیمه هادی خاص و پایداری فیزیکی است و پشتیبانی از بستر را برای فرآیند تولید مدار مجتمع بعدی فراهم می کند. این یک ماده کلیدی برای مدارهای مجتمع مبتنی بر سیلیکون است. بیش از 95 درصد از دستگاه های نیمه هادی و بیش از 90 درصد از مدارهای مجتمع در جهان بر روی ویفره......
ادامه مطلب
ویفرهای اپیتاکسیال نیترید گالیوم: مقدمه ای بر فرآیند ساخت
رشد ویفر اپیتاکسیال نیترید گالیوم (GaN) یک فرآیند پیچیده است که اغلب از یک روش دو مرحله ای استفاده می کند. این روش شامل چندین مرحله حیاتی از جمله پخت در دمای بالا، رشد لایه بافر، تبلور مجدد و بازپخت می باشد. با کنترل دقیق دما در طول این مراحل، روش رشد دو مرحله ای به طور موثر از تاب برداشتن ویفر ناشی......
ادامه مطلب
