در زمینه رشد تک بلور، توزیع دما در کوره رشد کریستال نقش مهمی ایفا می کند. این توزیع دما، که معمولاً به عنوان میدان حرارتی نامیده می شود، یک عامل حیاتی است که بر کیفیت و ویژگی های کریستال در حال رشد تأثیر می گذارد. میدان حرارتی را می توان به دو نوع استاتیک و دینامیک طبقه بندی کرد.
ادامه مطلبمواد مبتنی بر کربن مانند گرافیت، الیاف کربن و کامپوزیت های کربن/کربن (C/C) به دلیل استحکام ویژه بالا، مدول ویژه بالا و خواص حرارتی عالی شناخته شده اند، که آنها را برای طیف گسترده ای از کاربردهای در دمای بالا مناسب می کند. . این مواد به طور گسترده در هوافضا، مهندسی شیمی و ذخیره انرژی مورد استفاده قرا......
ادامه مطلبنیترید گالیوم (GaN) یک ماده مهم در فناوری نیمه هادی است که به دلیل خواص استثنایی الکترونیکی و نوری خود شناخته شده است. GaN، به عنوان یک نیمه هادی با فاصله باند گسترده، دارای انرژی باند گپ تقریباً 3.4 eV است که آن را برای کاربردهای پرقدرت و فرکانس بالا ایده آل می کند.
ادامه مطلبکوره های رشد کریستال کاربید سیلیکون (SiC) سنگ بنای تولید ویفر SiC هستند. کورههای SiC در حالی که شباهتهایی با کورههای رشد کریستال سیلیکون سنتی دارند، به دلیل شرایط رشد شدید مواد و مکانیسمهای پیچیده تشکیل نقص، با چالشهای منحصر به فردی روبرو هستند. این چالش ها را می توان به طور کلی به دو حوزه تقسی......
ادامه مطلبگرافیت در تولید نیمه هادی های سیلیکون کاربید (SiC) که به دلیل خواص حرارتی و الکتریکی استثنایی خود شناخته شده اند، حیاتی است. این باعث می شود SiC برای کاربردهای پرقدرت، دمای بالا و فرکانس بالا ایده آل باشد. در تولید نیمه هادی SiC، گرافیت به دلیل هدایت حرارتی عالی، پایداری شیمیایی و مقاومت در برابر شو......
ادامه مطلب