- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار صنعت
GaN و SiC: همزیستی یا جایگزینی؟
فشار برای چگالی توان و راندمان بالاتر به محرک اصلی نوآوری در صنایع مختلف از جمله مراکز داده، انرژی های تجدیدپذیر، لوازم الکترونیکی مصرفی، وسایل نقلیه الکتریکی و فناوری های رانندگی خودران تبدیل شده است. در حوزه مواد باند پهن (WBG)، نیترید گالیوم (GaN) و کاربید سیلیکون (SiC) در حال حاضر دو پلت فرم اصل......
ادامه مطلب
میدان حرارتی چیست؟
در زمینه رشد تک بلور، توزیع دما در کوره رشد کریستال نقش مهمی ایفا می کند. این توزیع دما، که معمولاً به عنوان میدان حرارتی نامیده می شود، یک عامل حیاتی است که بر کیفیت و ویژگی های کریستال در حال رشد تأثیر می گذارد. میدان حرارتی را می توان به دو نوع استاتیک و دینامیک طبقه بندی کرد.
ادامه مطلب
پیشرفت تحقیق پوشش‌های TaC بر روی سطوح مواد مبتنی بر کربن
مواد مبتنی بر کربن مانند گرافیت، الیاف کربن و کامپوزیت های کربن/کربن (C/C) به دلیل استحکام ویژه بالا، مدول ویژه بالا و خواص حرارتی عالی شناخته شده اند، که آنها را برای طیف گسترده ای از کاربردهای در دمای بالا مناسب می کند. . این مواد به طور گسترده در هوافضا، مهندسی شیمی و ذخیره انرژی مورد استفاده قرا......
ادامه مطلب
زیرلایه نیترید گالیم (GaN) چه کاربردهایی دارد؟
نیترید گالیوم (GaN) یک ماده مهم در فناوری نیمه هادی است که به دلیل خواص استثنایی الکترونیکی و نوری خود شناخته شده است. GaN، به عنوان یک نیمه هادی با فاصله باند گسترده، دارای انرژی باند گپ تقریباً 3.4 eV است که آن را برای کاربردهای پرقدرت و فرکانس بالا ایده آل می کند.
ادامه مطلب
چالش های فنی در کوره های رشد کریستال کاربید سیلیکون
کوره های رشد کریستال کاربید سیلیکون (SiC) سنگ بنای تولید ویفر SiC هستند. کوره‌های SiC در حالی که شباهت‌هایی با کوره‌های رشد کریستال سیلیکون سنتی دارند، به دلیل شرایط رشد شدید مواد و مکانیسم‌های پیچیده تشکیل نقص، با چالش‌های منحصر به فردی روبرو هستند. این چالش ها را می توان به طور کلی به دو حوزه تقسی......
ادامه مطلب
