کاربید سیلیکون (SiC) یک ماده نیمه هادی با فاصله باند وسیع است که در سال های اخیر به دلیل عملکرد استثنایی آن در کاربردهای ولتاژ و دمای بالا توجه قابل توجهی را به خود جلب کرده است. این مطالعه به طور سیستماتیک ویژگیهای مختلف کریستالهای SiC رشد یافته با استفاده از شرایط فرآیند اصلاحشده را بررسی میکن......
ادامه مطلب