- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار صنعت
نیمه هادی های نسل چهارم گالیوم اکسید/β-Ga2O3
اولین نسل از مواد نیمه هادی عمدتاً توسط سیلیکون (Si) و ژرمانیوم (Ge) نشان داده می شود که در دهه 1950 شروع به رشد کردند. ژرمانیوم در روزهای اولیه غالب بود و عمدتاً در ترانزیستورهای کم ولتاژ، فرکانس پایین، توان متوسط و آشکارسازهای نوری استفاده می شد، اما به دلیل مقاومت ضعیف در دمای بالا و مقاومت در ......
ادامه مطلب
رشد اپیتاکسیال بدون نقص و دررفتگی نامناسب
رشد اپیتاکسیال بدون نقص زمانی اتفاق می‌افتد که یک شبکه کریستالی دارای ثابت‌های تقریباً مشابه شبکه با دیگری باشد. رشد زمانی اتفاق می‌افتد که محل‌های شبکه دو شبکه در ناحیه رابط تقریباً مطابقت داشته باشند، که با عدم تطابق شبکه کوچک (کمتر از 0.1٪) امکان پذیر است. این تطابق تقریبی حتی با کرنش الاستیک در ......
ادامه مطلب
فرآیند اکسیداسیون
اساسی ترین مرحله همه فرآیندها فرآیند اکسیداسیون است. فرآیند اکسیداسیون به این صورت است که ویفر سیلیکونی را در فضایی از اکسیدان ها مانند اکسیژن یا بخار آب برای عملیات حرارتی با دمای بالا (800 ~ 1200 درجه سانتیگراد) قرار می دهد و یک واکنش شیمیایی روی سطح ویفر سیلیکونی برای تشکیل یک فیلم اکسید رخ می ده......
ادامه مطلب
چرا اپیتاکسی گلیم نیترید (GaN) روی یک بستر GaN رشد نمی کند؟
رشد اپیتاکسی GaN بر روی بستر GaN، علیرغم خواص برتر این ماده در مقایسه با سیلیکون، یک چالش منحصر به فرد است. اپیتاکسی GaN مزایای قابل توجهی را از نظر عرض شکاف نواری، هدایت حرارتی و میدان الکتریکی شکست نسبت به مواد مبتنی بر سیلیکون ارائه می دهد. این امر باعث می شود که GaN به عنوان ستون فقرات نسل سوم ن......
ادامه مطلب
