> اخبار > اخبار صنعت

اخبار صنعت

رشد کریستال AlN به روش PVT

نسل سوم مواد نیمه هادی با شکاف پهن، از جمله نیترید گالیوم (GaN)، کاربید سیلیکون (SiC) و نیترید آلومینیوم (AlN)، خواص الکتریکی، حرارتی و آکوستو-اپتیکی بسیار خوبی از خود نشان می دهند. این مواد محدودیت های نسل اول و دوم مواد نیمه هادی را برطرف می کنند و صنعت نیمه هادی ها را به طور قابل توجهی پیشرفت می ......

ادامه مطلب

فناوری اچینگ انتخابی SiGe و Si

یک مرحله مهم در ساخت GAAFET های نوع n شامل حکاکی با گزینش پذیری بالا پشته های SiGe:Si قبل از رسوب اسپیسرهای داخلی، تولید نانوصفحات سیلیکونی و آزادسازی کانال ها است.

ادامه مطلب

SiGe in Chip Manufacturing: A Professional News Report

SiGe (سیلیکون ژرمانیوم) برای پاسخگویی به تقاضاها برای عملکرد بالا و مصرف انرژی کم در حوزه فناوری نیمه هادی مدرن، به دلیل خواص فیزیکی و الکتریکی منحصر به فرد خود به عنوان یک ماده مرکب انتخابی در تولید تراشه های نیمه هادی ظاهر شده است.

ادامه مطلب

واحد در نیمه هادی: آنگستروم

به عنوان یک واحد طول، آنگستروم (Å) در تولید مدارهای مجتمع در همه جا حاضر است. از کنترل دقیق ضخامت مواد گرفته تا کوچک سازی و بهینه سازی اندازه دستگاه، درک و استفاده از مقیاس آنگستروم هسته اصلی برای اطمینان از توسعه مداوم فناوری نیمه هادی است.

ادامه مطلب

نزدیک به 840 میلیون دلار: Onsemi یک شرکت SiC را خریداری می کند

امروز Onsemi در وب سایت رسمی خود اعلام کرد که با قروو برای خرید کسب و کار فناوری SiC JFET و شرکت تابعه قروو به توافق رسیده است.

ادامه مطلب

تفاوت بین گرافیتی شدن و کربن سازی چیست؟

در نتیجه، هر دو گرافیتی شدن و کربن‌سازی فرآیندهای صنعتی هستند که کربن را یا به‌عنوان واکنش‌دهنده یا محصول شامل می‌شوند. کربن سازی به فرآیند تبدیل مواد آلی به کربن اشاره دارد، در حالی که گرافیت سازی شامل تبدیل کربن به گرافیت است. بنابراین، کربنیزاسیون به عنوان یک تغییر شیمیایی طبقه بندی می شود، در حا......

ادامه مطلب

<...5 6 7 8 9...32 >