فارسی
صفحه اصلی > اخبار > اخبار صنعت

اخبار صنعت

آنیل کردن

آنیل کردن

بازپخت پس از کاشت یون یک مرحله کلیدی در ساخت دستگاه های نیمه هادی است که بر عملکرد و قابلیت اطمینان دستگاه تأثیر می گذارد.

ادامه مطلب
رشد کریستال AlN به روش PVT

رشد کریستال AlN به روش PVT

نسل سوم مواد نیمه هادی با شکاف پهن، از جمله نیترید گالیوم (GaN)، کاربید سیلیکون (SiC) و نیترید آلومینیوم (AlN)، خواص الکتریکی، حرارتی و آکوستو-اپتیکی بسیار خوبی از خود نشان می دهند. این مواد محدودیت های نسل اول و دوم مواد نیمه هادی را برطرف می کنند و صنعت نیمه هادی ها را به طور قابل توجهی پیشرفت می ......

ادامه مطلب
فناوری اچینگ انتخابی SiGe و Si

فناوری اچینگ انتخابی SiGe و Si

یک مرحله مهم در ساخت GAAFET های نوع n شامل حکاکی با گزینش پذیری بالا پشته های SiGe:Si قبل از رسوب اسپیسرهای داخلی، تولید نانوصفحات سیلیکونی و آزادسازی کانال ها است.

ادامه مطلب
SiGe in Chip Manufacturing: A Professional News Report

SiGe in Chip Manufacturing: A Professional News Report

SiGe (سیلیکون ژرمانیوم) برای پاسخگویی به تقاضاها برای عملکرد بالا و مصرف انرژی کم در حوزه فناوری نیمه هادی مدرن، به دلیل خواص فیزیکی و الکتریکی منحصر به فرد خود به عنوان یک ماده مرکب انتخابی در تولید تراشه های نیمه هادی ظاهر شده است.

ادامه مطلب
واحد در نیمه هادی: آنگستروم

واحد در نیمه هادی: آنگستروم

به عنوان یک واحد طول، آنگستروم (Å) در تولید مدارهای مجتمع در همه جا حاضر است. از کنترل دقیق ضخامت مواد گرفته تا کوچک سازی و بهینه سازی اندازه دستگاه، درک و استفاده از مقیاس آنگستروم هسته اصلی برای اطمینان از توسعه مداوم فناوری نیمه هادی است.

ادامه مطلب
نزدیک به 840 میلیون دلار: Onsemi یک شرکت SiC را خریداری می کند

نزدیک به 840 میلیون دلار: Onsemi یک شرکت SiC را خریداری می کند

امروز Onsemi در وب سایت رسمی خود اعلام کرد که با قروو برای خرید کسب و کار فناوری SiC JFET و شرکت تابعه قروو به توافق رسیده است.

ادامه مطلب
<...34567...29>
برای بسته شدن وارد شوید یا ESC را وارد کنید
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept