فرآیند بازپخت، که به عنوان آنیل حرارتی نیز شناخته می شود، گامی مهم در تولید نیمه هادی است.
هنگام تمیز کردن ویفرها معمولاً از تمیز کردن اولتراسونیک و تمیز کردن مگاسونیک برای حذف ذرات از سطح ویفر استفاده می شود.
4H-SiC، به عنوان یک ماده نیمه هادی نسل سوم، به خاطر گپ باند وسیع، رسانایی حرارتی بالا، و پایداری شیمیایی و حرارتی عالی شهرت دارد که آن را در کاربردهای پرقدرت و فرکانس بالا بسیار ارزشمند می کند.
کوره رشد تک کریستال از شش سیستم کلیدی تشکیل شده است که با هماهنگی کار می کنند تا رشد کریستال کارآمد و با کیفیت بالا را تضمین کنند.
اخیراً، Infineon Technologies توسعه موفقیت آمیز اولین فناوری ویفر گالیوم نیترید (GaN) با قدرت 300 میلی متری جهان را اعلام کرد.
سه روش اصلی مورد استفاده در تولید سیلیکون تک کریستالی عبارتند از روش Czochralski (CZ)، روش Kyropoulos و روش Float Zone (FZ).