در تولید نیمه هادی، اکسیداسیون شامل قرار دادن ویفر در محیطی با دمای بالا است که در آن اکسیژن در سراسر سطح ویفر جریان می یابد و یک لایه اکسید تشکیل می دهد. این کار از ویفر در برابر ناخالصی های شیمیایی محافظت می کند، از ورود جریان نشتی به مدار جلوگیری می کند، از انتشار در حین کاشت یون جلوگیری می کند و......
ادامه مطلبکوارتز متعلق به سیستم کریستالی مثلثی است که یک بلور معدنی چهاربعدی است که از دی اکسید سیلیکون تشکیل شده است. به طور معمول، کوارتز خالص بی رنگ و شفاف است، اما در نتیجه یون های رنگدانه، اجزای ریز پراکنده یا تشکیل مراکز رنگی، رنگ های مختلفی به خود می گیرد. کوارتز با خواص عالی متعدد، به طور گسترده ای در......
ادامه مطلبماده SiC از یک چهار وجهی منفرد از یک اتم Si و یک اتم C تشکیل نشده است، بلکه از تعداد بی شماری اتم Si و C تشکیل شده است. تعداد زیادی از اتمهای Si و C لایههای اتمی دوتایی موجدار را تشکیل میدهند (یک لایه اتم C و یک لایه اتم Si)، و چندین لایه اتمی دوتایی روی هم قرار میگیرند تا کریستالهای SiC را تش......
ادامه مطلبساخت و پردازش زیرلایه های کاربید سیلیکون با کیفیت بالا شامل موانع فنی بسیار بالایی است. چالشهای متعددی در کل فرآیند وجود دارد، از آمادهسازی مواد خام تا ساخت محصول نهایی، که به عاملی حیاتی در محدود کردن کاربرد در مقیاس بزرگ و ارتقاء صنعتی آن تبدیل شده است.
ادامه مطلبدیسکهای ترمز کربن سرامیکی راهحلهای ترمز با کارایی بالا هستند که دقیقاً از مواد کامپوزیتی مبتنی بر کاربید سیلیکون تقویتشده با فیبر کربن ساخته شدهاند که منشأ فنی آنها را میتوان به میدان ترمز هواپیما در دهه 1970 ردیابی کرد. استفاده از استحکام و چقرمگی بالای فیبر کربن و مقاومت در برابر دمای بالا،......
ادامه مطلب