اخیراً، Infineon Technologies توسعه موفقیت آمیز اولین فناوری ویفر گالیوم نیترید (GaN) با قدرت 300 میلی متری جهان را اعلام کرد.
سه روش اصلی مورد استفاده در تولید سیلیکون تک کریستالی عبارتند از روش Czochralski (CZ)، روش Kyropoulos و روش Float Zone (FZ).
فرآیندهای اکسیداسیون با ایجاد یک لایه محافظ بر روی ویفر که به عنوان لایه اکسید شناخته می شود، نقش مهمی در جلوگیری از چنین مشکلاتی ایفا می کند که به عنوان یک مانع بین مواد شیمیایی مختلف عمل می کند.
نیترید سیلیکون (Si3N4) یک ماده کلیدی در توسعه سرامیک های ساختاری پیشرفته با دمای بالا است.
فرآیند اچینگ: سیلیکون در مقابل سیلیکون کاربید
در تولید نیمه هادی، دقت و پایداری فرآیند اچینگ از اهمیت بالایی برخوردار است. یکی از عوامل مهم در دستیابی به اچینگ با کیفیت بالا، اطمینان از صاف بودن کامل ویفرها در سینی در طول فرآیند است.