در حال حاضر، بسیاری از دستگاه های نیمه هادی از ساختارهای دستگاه مسا استفاده می کنند که عمدتاً از طریق دو نوع اچینگ ایجاد می شوند: اچ مرطوب و اچ خشک. در حالی که حکاکی مرطوب ساده و سریع نقش مهمی در ساخت دستگاه های نیمه هادی ایفا می کند، دارای اشکالات ذاتی مانند حکاکی ایزوتروپیک و یکنواختی ضعیف است که ......
ادامه مطلبدستگاه های قدرت کاربید سیلیکون (SiC) دستگاه های نیمه هادی ساخته شده از مواد کاربید سیلیکون هستند که عمدتاً در کاربردهای الکترونیکی با فرکانس بالا، دمای بالا، ولتاژ بالا و توان بالا استفاده می شوند. در مقایسه با دستگاههای برق سنتی مبتنی بر سیلیکون (Si)، دستگاههای قدرت کاربید سیلیکون دارای عرض باند ......
ادامه مطلببه عنوان یک ماده نیمه هادی نسل سوم، نیترید گالیوم اغلب با سیلیکون کاربید مقایسه می شود. نیترید گالیوم همچنان برتری خود را با فاصله باند بزرگ، ولتاژ شکست بالا، هدایت حرارتی بالا، سرعت رانش الکترون اشباع بالا و مقاومت در برابر تشعشع قوی نشان می دهد. اما غیرقابل انکار است که مانند کاربید سیلیکون، نیتری......
ادامه مطلبمواد GaN پس از اعطای جایزه نوبل فیزیک در سال 2014 برای LED های آبی شهرت یافتند. تقویتکنندههای قدرت مبتنی بر GaN و دستگاههای RF که در ابتدا از طریق برنامههای شارژ سریع در لوازم الکترونیکی مصرفی به چشم عموم وارد میشوند، بیصدا به عنوان اجزای حیاتی در ایستگاههای پایه 5G ظاهر شدهاند. در سالهای ا......
ادامه مطلبدر حوزه فناوری نیمه هادی و میکروالکترونیک، مفاهیم زیرلایه ها و اپیتاکسی اهمیت قابل توجهی دارند. آنها نقش مهمی در فرآیند تولید دستگاه های نیمه هادی ایفا می کنند. این مقاله به بررسی تفاوتهای بین بسترهای نیمهرسانا و اپیتاکسی میپردازد و تعاریف، عملکردها، ساختارهای مواد و حوزههای کاربردی را پوشش مید......
ادامه مطلب