سی اپیتاکسی

Si epitaxy مهندسی خواص لایه خاصی مانند ضخامت، غلظت دوپینگ و ترکیب را امکان پذیر می کند. با وارد کردن مقادیر کنترل‌شده ناخالصی‌ها، که به عنوان ناخالصی‌ها شناخته می‌شوند، در لایه اپیتاکسیال، می‌توان ویژگی‌های الکتریکی دستگاه‌های حاصل را دقیقاً تنظیم کرد. این امکان ایجاد نواحی مختلف با انواع رسانایی متمایز (نوع n یا نوع p) و غلظت حامل دلخواه را فراهم می‌کند و امکان ادغام مدارهای الکترونیکی پیچیده را فراهم می‌کند.

Si epitaxy یک فرآیند اساسی در ساخت دستگاه های نیمه هادی پیشرفته از جمله ریزپردازنده ها، تراشه های حافظه، حسگرهای تصویر و سلول های خورشیدی است. این نقش حیاتی در بهبود عملکرد دستگاه، کوچک سازی و عملکرد دارد. توانایی قرار دادن لایه های همپایی با کیفیت بالا با کنترل دقیق بر خواص مواد به پیشرفت و نوآوری مداوم در صنعت نیمه هادی کمک می کند.