ویفرهای Epi Sic

ویفرهای EPI Semicorex SIC ویفرهایی با لایه ای از فیلم کریستالی تک سیک هستند که بر روی سطح بستر توسط رسوب بخار شیمیایی (CVD) رشد می کنند. نوع دوپینگ ، غلظت دوپینگ و ضخامت آن را می توان دقیقاً با توجه به الزامات طراحی دستگاه کنترل کرد. این مؤلفه اصلی منطقه عملکردی دستگاه است.

ویژگی های اصلی ویفرهای EPI Sic

عملکرد ویفرهای اپیتاکسیال با ویژگی های زیر تعیین می شود:

شخصیت های دوپینگ:

ویفرهای EPI SIC با کنترل دقیق غلظت دوپینگ (نوع N یا P) به خصوصیات الکتریکی مورد نیاز دست می یابند و یکنواختی غلظت یک شاخص اصلی است.

کنترل ضخامت:

با توجه به الزامات طراحی دستگاه ، ضخامت لایه اپیتاکسیال می تواند از چند میکرون تا ده ها میکرون باشد. به عنوان مثال ، دستگاه های با ولتاژ بالا برای پشتیبانی از ولتاژهای شکست بالاتر به لایه های ضخیم تر اپیتاکسیال نیاز دارند.

کیفیت سطح:

صاف بودن سطح لایه اپیتاکسیال به طور مستقیم بر دقت تولید دستگاه تأثیر می گذارد. زبری سطح نانو و چگالی نقص کم الزامات اصلی ویفرهای اپیتاکسیال است.

فرآیند اصلی آماده سازی ویفرهای EPI SIC

تولید ویفرهای اپیتاکسیال عمدتاً از طریق فناوری CVD حاصل می شود. منبع کربن و گازهای منبع سیلیکون در دمای بالا واکنش نشان می دهند و بر روی سطح بستر قرار می گیرند تا یک لایه اپیتاکسیال تشکیل شود.

تأثیر پارامترهای فرآیند:

دما ، جریان گاز ، جو و سایر فاکتورها به طور مستقیم بر ضخامت ، یکنواختی دوپینگ و کیفیت سطح لایه اپیتاکسیال تأثیر می گذارد.

نقش اصلی ویفرهای EPI

ویفرهای اپیتاکسیال نقش تعیین کننده ای در دستگاه های SIC دارند: به عنوان یک منطقه فعال: خصوصیات الکتریکی مورد نیاز مانند تشکیل کانال های فعلی یا اتصالات PN را فراهم کنید. تعیین عملکرد دستگاه: مانند پارامترهای کلیدی مانند ولتاژ تجزیه و مقاومت در برابر.

برنامه های کاربردی در چندین زمینه از ویفرهای EPI SIC

وسایل نقلیه انرژی جدید: یک موتور دوتایی برای استقامت و عملکرد

از آنجا که صنعت جهانی خودرو ، تبدیل خود را به الکتریسیته تسریع می کند ، بهینه سازی عملکرد وسایل نقلیه انرژی جدید به تمرکز رقابت در بین خودروسازان اصلی تبدیل شده است. ویفرهای SIC EPI نقش مهمی در این امر دارند. در مؤلفه اصلی وسایل نقلیه انرژی جدید - سیستم موتور درایو ، دستگاه های برق مبتنی بر ویفرهای اپیتاکسیال کاربید سیلیکون می درخشند. این می تواند به اقدامات سوئیچینگ فرکانس بالاتر برسد ، به طور قابل توجهی تلفات سوئیچینگ را کاهش داده و کارایی عملکرد موتور را تا حد زیادی بهبود بخشد. این مانند تزریق منبع قدرتمند قدرت به خودرو است ، که نه تنها به طور مؤثر دامنه سفر به وسیله نقلیه را افزایش می دهد ، بلکه به وسیله نقلیه اجازه می دهد تا تحت شرایطی مانند شتاب و کوهنوردی بهتر عمل کند. به عنوان مثال ، پس از اتخاذ برخی از وسایل نقلیه برقی بالا ، ماژول های برق کاربید سیلیکون را اتخاذ می کنند ، دامنه رانندگی می تواند 10 ٪ - 15 ٪ افزایش یابد و زمان شارژ بسیار کوتاه می شود ، که این امر راحتی بسیار خوبی را به همراه دارد و تجربه رانندگی بهتری را برای کاربران به ارمغان می آورد. در عین حال ، از نظر شارژرهای روی صفحه (OBC) و سیستم های تبدیل برق (DC-DC) ، استفاده از ویفرهای اپیتاکسیال کاربید سیلیکون همچنین باعث می شود شارژ کارآمدتر ، کوچکتر و سبک تر از وزن باشد که این امر به بهینه سازی ساختار کلی خودرو کمک می کند.

لوازم الکترونیکی قدرت: سنگ بنای ساختن یک شبکه برق هوشمند و کارآمد

در زمینه الکترونیک برق ، ویفرهای SIC EPI به ساخت شبکه های هوشمند برای رسیدن به ارتفاعات جدید کمک می کنند. دستگاه های سنتی مبتنی بر سیلیکون به تدریج محدودیت های خود را در مواجهه با افزایش تقاضا برای انتقال نیرو و تبدیل نشان می دهند. ویفرهای اپیتاکسیال کاربید سیلیکون ، با ویژگی های عالی ولتاژ بالا ، درجه حرارت بالا و با قدرت عالی ، یک راه حل ایده آل برای به روزرسانی تجهیزات برق ارائه می دهند. در پیوند انتقال نیرو ، دستگاه های برق کاربید سیلیکون می توانند انرژی الکتریکی را در مسافت های طولانی با راندمان بالاتر منتقل کنند و از بین رفتن انرژی در طی فرآیند انتقال ، دقیقاً مانند هموار کردن "بزرگراه" بدون مانع برای انرژی الکتریکی ، باعث بهبود ظرفیت انتقال برق و پایداری شبکه برق شوند. از نظر تبدیل و توزیع قدرت ، استفاده از ویفرهای اپیتاکسیال کاربید سیلیکون در ترانسفورماتورهای الکترونیکی قدرت ، دستگاه های جبران خسارت واکنشی و سایر تجهیزات در پست ها می توانند با دقت بیشتری پارامترهای برق را کنترل کنند ، متوجه تنظیم هوشمندانه شبکه برق شوند ، به طور مؤثر قابلیت اطمینان و کیفیت قدرت شبکه برق را بهبود بخشند و از تأمین منبع تغذیه ای و تأمین اعتبار در زندگی روزانه و تأمین اعتبار در سطح صنایع ما اطمینان حاصل کنند.