دیسک اپیتاکسی با پوشش SiC

دیسک اپیتاکسی با پوشش SiC Semicorex دارای طیف وسیعی از مزایای بی نظیر در صنعت نیمه هادی است که می توان به شرح زیر توضیح داد:

ضریب انبساط حرارتی پایین: دیسک اپیتاکسی با پوشش SiC دارای ضریب انبساط حرارتی بسیار پایینی است که در پردازش نیمه هادی که پایداری ابعادی ضروری است بسیار مهم است. این ویژگی تضمین می‌کند که دیسک اپیتاکسی با پوشش SiC تحت تغییرات دما حداقل انبساط یا انقباض را تجربه می‌کند و یکپارچگی ساختار نیمه‌رسانا را در طول فرآیندهای با دمای بالا حفظ می‌کند.

مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا: این دیسک اپیتاکسی با پوشش SiC که با مقاومت اکسیداسیون قابل توجهی طراحی شده است، یکپارچگی ساختاری خود را در دماهای بالا حفظ می کند و آن را به یک جزء ایده آل برای کاربرد در فرآیندهای نیمه هادی با دمای بالا تبدیل می کند که در آن پایداری حرارتی بسیار مهم است.

سطح متراکم و متخلخل ریز: سطح دیسک اپیتاکسی با پوشش SiC با چگالی و تخلخل ریز مشخص می شود که بافت سطحی بهینه ای را برای چسباندن پوشش های مختلف فراهم می کند و حذف موثر مواد را در طی پردازش ویفر نیمه هادی بدون آسیب رساندن به سطح ظریف تضمین می کند.

سختی بالا: این پوشش سطح سختی بالایی را به دیسک گرافیتی می بخشد که در برابر خراشیدگی و سایش مقاوم است، بنابراین عمر مفید دیسک اپیتاکسی با پوشش SiC را افزایش می دهد و فرکانس جایگزینی را در محیط های تولید نیمه هادی کاهش می دهد.

مقاومت در برابر اسیدها، بازها، نمک ها و معرف های آلی: پوشش سی سی سی سی سی دی دیسک اپیتاکسی با پوشش SiC، مقاومت بسیار خوبی در برابر طیف وسیعی از عوامل خورنده، از جمله اسیدها، بازها، نمک ها و معرف های آلی ارائه می دهد که آن را برای استفاده در محیط هایی مناسب می کند. قرار گرفتن در معرض مواد شیمیایی یک نگرانی است، در نتیجه قابلیت اطمینان و طول عمر تجهیزات را افزایش می دهد.

لایه سطحی Beta-SiC: لایه سطحی SIC (سیلیکون کاربید) دیسک اپیتاکسی با پوشش SiC از بتا-SiC تشکیل شده است که دارای ساختار کریستالی مکعبی (FCC) است. این ساختار کریستالی به خواص مکانیکی و حرارتی استثنایی پوشش کمک می‌کند و استحکام و رسانایی حرارتی برتر را به دیسک ارائه می‌کند که برای تجهیزات پردازش نیمه‌رسانا ضروری است.