قطعات نیمه ماه با پوشش SiC

قطعات Halfmoon که با کاربید سیلیکون ممتاز (SiC) پوشانده شده‌اند، یکی از ویژگی‌های اساسی فرآیندهای اپیتاکسی به عنوان حامل ویفر و رسانای حرارتی هستند. شکل تخصصی نیمه ماه آنها روشی را برای مونتاژ به شکل استوانه ای ارائه می دهد که به عنوان یک اتصال در راکتورهای اپیتاکسیال عمل می کند. در داخل محفظه یا محیط راکتور، ویفرها باید محکم شوند، اما باید به طور یکنواخت گرم شوند، در حالی که رسوب لایه نازک بحرانی انجام می شود. قطعات نیمه ماه با پوشش SiC مقدار مناسبی از پشتیبانی مکانیکی، پایداری حرارتی و دوام شیمیایی را برای انجام این وظایف تامین می‌کنند.

گرافیتماده زیرلایه قطعات Halfmoon است و به دلیل هدایت حرارتی بسیار خوب و وزن و استحکام نسبتا کم انتخاب شده است. سطح گرافیت با یک سطح کاربید سیلیکون با بخار شیمیایی با خلوص بالا (CVD SiC) متراکم پوشیده شده است تا در برابر محیط های تهاجمی مرتبط با رشد همپایی مقاوم باشد. پوشش SiC سختی سطح قطعات را بهبود می بخشد و در برابر گازهای واکنش پذیر مانند هیدروژن و کلر مقاومت می کند و پایداری طولانی مدت خوب و آلودگی بسیار محدود را در طول پردازش ایجاد می کند. گرافیت و SiC در قسمت نیمه ماه با هم کار می کنند تا تعادل مناسبی از استحکام مکانیکی با خواص شیمیایی و حرارتی ایجاد کنند.

یکی از حیاتی ترین نقش هایپوشش SiCHalfmoon Parts پشتیبانی از ویفر است. انتظار می رود ویفرها در کل اپیتاکسی صاف و پایدار باشند تا رشد یکنواخت ساختار شبکه در لایه های کریستالی را تسهیل کنند. هر درجه خمش یا ناپایداری در قسمت های نگهدارنده ممکن است باعث ایجاد لایه های نقص در اپیتاکسی شود و در نهایت عملکرد دستگاه را تحت تأثیر قرار دهد. قطعات Halfmoon به دقت برای ثبات ابعادی نهایی در دماهای بالا ساخته شده اند تا پتانسیل تاب برداشتن را محدود کرده و در هر دستور اپیتاکسیال قرارگیری مناسب ویفر را فراهم کنند. این یکپارچگی ساختاری به کیفیت اپیتاکسیال بهتر و عملکرد بیشتر تبدیل می شود.

یک عملکرد به همان اندازه مهم قطعات نیمه ماه، هدایت حرارتی است. در یک محفظه اپیتاکسیال، هدایت حرارتی یکنواخت و حالت پایدار برای به دست آوردن لایه‌های نازک با کیفیت بالا کلیدی است. هسته گرافیت برای هدایت حرارتی ایده آل است تا به فرآیند گرمایش کمک کند و توزیع یکنواخت دما را تسهیل کند. پوشش SiC از هسته در برابر خستگی حرارتی، تخریب و آلودگی در فرآیند محافظت می کند. بنابراین، ویفرها را می توان به طور یکنواخت گرم کرد تا به انتقال دمای یکنواخت دست یابد و از توسعه لایه های اپیتاکسیال بدون نقص پشتیبانی کند. به عبارت دیگر، برای فرآیندهای رشد لایه نازک که نیازمند شرایط حرارتی خاص هستند، قطعات نیمه ماه با پوشش SiC هم کارایی و هم قابلیت اطمینان را ارائه می‌دهند. طول عمر یکی از جنبه های کلیدی قطعات است. اپیتاکسی اغلب شامل چرخش حرارتی در دماهای بالا بیش از آنچه مصالح ساختمانی معمولی می توانند بدون تخریب تحمل کنند، است.

تمیزی یکی دیگر از مزایای مهم است. از آنجایی که اپیتاکسی به آلودگی بسیار حساس است، استفاده از پوشش CVD SiC با خلوص فوق العاده بالا، آلودگی را از محفظه واکنش حذف می کند. این امر تولید ذرات را به حداقل می رساند و از ویفرها در برابر نقص محافظت می کند. کاهش مداوم هندسه دستگاه و باریک شدن مداوم الزامات فرآیند همپایی، کنترل آلودگی را برای تضمین کیفیت تولید ثابت ضروری می‌سازد.

قطعات نیمه ماه روکش شده با SiC Semicorex نه تنها نگرانی های مربوط به پاکیزگی را برطرف می کنند، بلکه انعطاف پذیر هستند و می توانند متناسب با پیکربندی های مختلف سیستم همپایی تنظیم شوند. آنها همچنین می توانند در ابعاد خاص، ضخامت پوشش، و طرح ها/تلرانس هایی که به طور فرضی با تجهیزات مورد نیاز مطابقت دارند، تولید شوند. این انعطاف‌پذیری به این اطمینان کمک می‌کند که تجهیزات موجود می‌توانند به طور یکپارچه یکپارچه شوند و مطلوب‌ترین سازگاری فرآیند را حفظ کنند.