بشقاب روکش شده

صفحه پوشش داده شده Semicorex یک مؤلفه با کارایی بالا مهندسی شده است که به طور خاص برای تجهیزات رشد اپیتاکسیال (EPI) طراحی شده است و برای ایجاد فیلم های با کیفیت بالا نیاز به بسترهای پایدار و با خلوص بالا دارد. این یک هسته گرافیت با استحکام بالا است ، به طور یکنواخت و متراکم با کاربید سیلیکون (SIC) پوشش داده شده و به مقاومت حرارتی بی نظیر و مکانیکی گرافیت با استحکام بالا همراه با پایداری شیمیایی و دوام سطح SIC رسیده است. صفحه پوشش داده شده Semicorex SIC برای حفظ سخت گیری های شدید فرآیندهای اپیتاکسیال برای نیمه هادی های مرکب از جمله SIC و GAN ساخته شده است.

هسته گرافیتی صفحه پوشش داده شده دارای هدایت حرارتی برجسته ، چگالی کم و مقاومت در برابر شوک حرارتی برتر است. جرم حرارتی نسبتاً کم هسته گرافیت متعادل با هدایت حرارتی عالی امکان توزیع سریع گرما را به طور مساوی در فرآیندی که چرخه دما با سرعت زیاد انجام می شود امکان پذیر است. لایه بیرونی SIC رسوب شده توسط رسوب بخار شیمیایی (CVD) ، یک مانع محافظ را ارائه می دهد که باعث افزایش سختی ، مقاومت در برابر خوردگی و عدم تحرک شیمیایی می شود و ارزش فوری را در محدود کردن یا جلوگیری از تولید ذرات ارائه می دهد. این سطح ابتدایی جامد همراه با خصوصیات فیزیکی پایه گرافیت ، یک محیط فرآیند با خلوص بسیار بالا را با خطر بسیار کمی یا بدون خطر تولید نقص در لایه های اپیتاکسیال تضمین می کند.

دقت بعدی و صافی سطح نیز ویژگی های اساسی صفحه پوشش داده شده SIC است. هر صفحه به منظور اطمینان از یکنواختی و تکرارپذیری در عملکرد فرآیند ، ماشینکاری شده و با تحمل های محکم پوشیده شده است. سطح صاف و بی اثر باعث کاهش مکان های هسته ای برای رسوب فیلم ناخواسته می شود و یکنواختی ویفر را در سطح صفحه بهبود می بخشد.

در راکتورهای اپیتاکسیال ، صفحه پوشش داده شده SIC به طور معمول به عنوان یک حساس ، آستر یا یک سپر حرارتی اجرا می شود تا ساختار را ارائه دهد و به عنوان یک محیط انتقال حرارت به ویفر پردازش شود. عملکرد پایدار به طور مستقیم بر کیفیت کریستال ، عملکرد و بهره وری تأثیر می گذارد.