گیرنده اپیتاکسی SiC

SiC Epitaxy Susceptor یک جزء حیاتی است که در تجهیزات MOCVD برای پشتیبانی و گرم کردن بسترهای تک کریستال استفاده می شود. پارامترهای عملکرد برتر آن مانند پایداری حرارتی و یکنواختی حرارتی نقش تعیین کننده ای در کیفیت رشد مواد همپایی ایفا می کند و سطوح بالایی از یکنواختی و خلوص را در مواد لایه نازک تضمین می کند.

SiC Epitaxy Susceptor دارای چگالی عالی است و محافظت موثری را در دمای بالا و محیط های کاری خورنده ارائه می دهد. علاوه بر این، سطح بالای صافی سطح آن کاملاً الزامات رشد تک کریستال روی سطح زیرلایه را برآورده می کند.

حداقل ضریب اختلاف انبساط حرارتی در SiC Epitaxy Susceptor به طور قابل توجهی استحکام پیوند بین بستر اپیتاکسیال و مواد پوشش را افزایش می‌دهد، بنابراین احتمال ترک خوردن پس از تجربه چرخه حرارتی در دمای بالا را کاهش می‌دهد.

به طور همزمان، رسانایی حرارتی بالایی را نشان می دهد و توزیع سریع و یکنواخت گرما را برای رشد تراشه تسهیل می کند. علاوه بر این، نقطه ذوب بالا، مقاومت در برابر دما، مقاومت در برابر اکسیداسیون و مقاومت در برابر خوردگی، عملکرد پایدار در محیط های کاری با دمای بالا و خورنده را امکان پذیر می کند.

به عنوان یک جزء حیاتی در محفظه واکنش تجهیزات MOCVD، SiC Epitaxy Susceptor باید دارای مزایایی مانند مقاومت در برابر دمای بالا، هدایت حرارتی یکنواخت، پایداری شیمیایی خوب و مقاومت قوی در برابر شوک حرارتی باشد. Semicorex SiC Epitaxy Susceptor تمام این الزامات را برآورده می کند.