سینی ویفر SiC

سینی ویفر Semicorex SiC که به عنوان یک عنصر کلیدی در دستگاه MOCVD عمل می کند، بسترهای تک کریستالی را نگه می دارد و به صورت حرارتی مدیریت می کند. ویژگی های عملکرد استثنایی آن، از جمله پایداری حرارتی و یکنواختی برتر و همچنین مهار خوردگی و غیره، برای رشد با کیفیت بالا مواد همپایی بسیار مهم هستند. این ویژگی ها یکنواختی و خلوص ثابت را در لایه های لایه نازک تضمین می کند.

سینی ویفر SiC که با پوشش SiC تقویت شده است، هدایت حرارتی را به طور قابل توجهی بهبود می بخشد و توزیع سریع و یکنواخت گرما را برای رشد یکنواخت اپیتاکسی تسهیل می کند. توانایی سینی ویفر SiC برای جذب و تابش موثر گرما، دمای پایدار و ثابتی را حفظ می‌کند که برای رسوب دقیق لایه‌های نازک ضروری است. این توزیع یکنواخت دما برای تولید لایه‌های اپیتاکسیال با کیفیت بالا، که برای عملکرد دستگاه‌های نیمه‌رسانای پیشرفته ضروری هستند، حیاتی است.

عملکرد قابل اعتماد و طول عمر سینی ویفر SiC تعداد دفعات تعویض را کاهش می دهد و زمان خرابی و هزینه های تعمیر و نگهداری را به حداقل می رساند. ساخت قوی و قابلیت های عملیاتی برتر آن، کارایی فرآیند را افزایش می دهد و در نتیجه بهره وری و مقرون به صرفه بودن را در تولید نیمه هادی افزایش می دهد.

علاوه بر این، سینی ویفر Semicorex SiC مقاومت عالی در برابر اکسیداسیون و خوردگی در دماهای بالا از خود نشان می‌دهد که دوام و قابلیت اطمینان آن را بیشتر تضمین می‌کند. استقامت حرارتی بالای آن، که با نقطه ذوب قابل توجه مشخص شده است، آن را قادر می سازد تا در برابر شرایط حرارتی سخت ذاتی فرآیندهای ساخت نیمه هادی مقاومت کند.