صفحه گیرنده

Semicorex Susceptor Plate یک جزء حیاتی در فرآیند رشد اپیتاکسیال است که به طور خاص برای حمل ویفرهای نیمه هادی در طول رسوب لایه ها یا لایه های نازک طراحی شده است. در زمینه رسوب بخار شیمیایی فلز-آلی (MOCVD)، این صفحات به ویژه از موادی ساخته شده اند که می توانند در برابر دماهای بالا مقاومت کنند و سطحی پایدار برای رشد لایه های همپایی فراهم کنند.

صفحه Susceptor مورد استفاده در این فرآیند از گرافیت ساخته شده است که از طریق یک فرآیند MOCVD با کاربید سیلیکون (SiC) پوشیده شده است. کاربید سیلیکون پایداری حرارتی استثنایی، استحکام مکانیکی و مقاومت در برابر واکنش های شیمیایی را ارائه می دهد و آن را به گزینه ای ایده آل برای شرایط سخت رشد همپایی تبدیل می کند.

در طول MOCVD، صفحه Susceptor با انتقال موثر گرما به ویفرهای نیمه هادی، نقشی محوری ایفا می کند. این صفحه انرژی را از محیط اطراف جذب می کند و آن را به سمت ویفرها می تاباند و رسوب کنترل شده لایه های نازک را بر روی سطوح ویفر تسهیل می کند. این کنترل دقیق دما برای دستیابی به لایه های اپیتاکسیال یکنواخت و با کیفیت، که در تولید دستگاه های نیمه هادی پیشرفته بسیار حیاتی هستند، ضروری است.

صفحه Susceptor در فرآیندهای MOCVD، متشکل از گرافیت پوشش داده شده با SiC، به عنوان یک پلت فرم قابل اعتماد برای پشتیبانی از ویفرهای نیمه هادی، تضمین انتقال حرارت بهینه، و کمک به رشد اپیتاکسیال موفق لایه های نازک با ویژگی های مطلوب برای کاربردهای نیمه هادی عمل می کند.