نیمه ماه

نیم ماه نیمه نیمه نیمه نیمه یک حامل ویفر نیمه دایره ای است که به طور دقیق برای تجهیزات پردازش اپیتاکسیک طراحی شده است. به عنوان یک مؤلفه حساس حساس در فرآیند رشد اپیتاکسیال ، این بخش برای پشتیبانی و تثبیت ویفرهای سیلیکون در طول رسوب بخار شیمیایی با دمای بالا (CVD) طراحی شده است. ساخته شده از گرافیت با خلوص بالا و محافظت شده با یک پوشش کاربید سیلیکون یکنواخت (SIC) ، نیمه ماه فوقانی استحکام مکانیکی ، هدایت حرارتی عالی و مقاومت در برابر خوردگی استثنایی برای برآورده کردن خواسته های اپیتاکسی با دقت بالا.

این محصول نام خود را از هندسه نیمه ماه متمایز خود ، که برای سکوهای چرخشی خاص در راکتورهای اپیتاکسی تک وافر یا چند ویفر ساخته شده است ، ساخته شده است. شکل منحصر به فرد آن نه تنها جریان گاز یکنواخت و توزیع حرارتی را تسهیل می کند بلکه امکان ادغام آسان در مجامع گرمایش و چرخش موجود را نیز فراهم می کند. طراحی نیمه دایره ای موقعیت یابی بهینه ویفر را تضمین می کند ، استرس حرارتی را به حداقل می رساند و نقش مهمی در دستیابی به ضخامت یکنواخت فیلم اپیتاکسیال در کل سطح ویفر دارد.

محصول نیمه ماه فوقانی شامل بستر گرافیت فوق العاده ریز به دلیل مزایای عملکرد ترکیبی از یک ساختار فوق العاده پایدار در دماهای بسیار بالا همراه با مقاومت در برابر عدم موفقیت در دوران مکرر است. برای گسترش استفاده ، یک پوشش SIC متراکم با خلوص بالا توسط فناوری رسوب بخار شیمیایی استفاده شد و بستر گرافیت را از HCL ، CL₂ ، Silane و سایر گازهای فرآیند خورنده جدا کرد. صرف نظر از این ، پوشش SIC زندگی با دوام تر و گسترده تر را برای هر دو محصول نیمه ماه بالا و قطعات موجود در کل آن ترویج می کند و در عین حال آلودگی محیط ویفر را کاهش می دهد ، در نهایت به نفع عملکرد روند و کیفیت فیلم است.

سطح سطح لایه SIC مشخص شده است و برای ارتقاء انتقال حرارت ثابت به یک بستر و شکل گیری فیلم ثابت صاف یا صاف است. علاوه بر این ، پوشش SIC مقاومت مؤلفه در برابر تولید ذرات را بهبود می بخشد که یک عامل اصلی برنامه های نیمه هادی حساس به نقص است. پارامترهای عملکرد از جمله پیشینه بسیار کم و تغییر شکل بسیار کم بالاتر از 1200 درجه سانتیگراد اجزای مؤثر را برای چرخه های کار بسیار طولانی فراهم می کند ، باعث کاهش خرابی سیستم و هزینه های نگهداری می شود.

نیمه فوقانی نیمورکس از نظر تحمل ، یکنواختی پوشش و انتخاب مواد در رده دوم قرار ندارد. ما کنترل کیفیت دقیق را در هر مرحله ، از ماشینکاری گرافیت ، گرفته تا رسوب پوشش های SIC و بازرسی نهایی ، حفظ می کنیم و اطمینان حاصل می کنیم که هر واحد از استانداردهای دقیق مورد نیاز تجهیزات درجه نیمه هادی برخوردار است. علاوه بر این ، تجربه ما در سفارشی سازی هندسه ها ، ضخامت ها و تیمارهای سطح شناخته شده است که تقریباً در تمام اشکال سیستم عامل های اپیتاکس اعمال می شود.

نیم ماه بالا برای ثبات ویفر ، یکنواختی حرارتی و کنترل آلودگی برای سیلیسون یا اپیتاکس نیمه هادی مرکب بسیار مهم است. بر این اساس ، Semicorex برای دستیابی به انتظارات مشتری برای اجزای قابل اعتماد و با کارایی بالا ، تخصص های بی نظیر ، فناوری مواد و سازگاری تولید را اعمال می کند.