چاک ویفر GaN-on-Si Epi

چاک ویفر Semicorex GaN-on-Si Epi یکپارچه برای تولید نیمه هادی است و پشتیبانی پایدار و قابل اعتماد را در طول فرآیندهای حیاتی مانند رسوب گذاری، اچینگ و لیتوگرافی امکان پذیر می کند. چاک ویفر GaN-on-Si Epi اتلاف گرما کارآمد را تضمین می کند و توزیع دمای یکنواخت را در سراسر ویفر حفظ می کند تا از گرادیان های حرارتی که می تواند باعث نقص شود جلوگیری می کند. چاک ویفر GaN-on-Si Epi در اندازه‌ها و پیکربندی‌های مختلف برای تطبیق با ابعاد مختلف ویفر و الزامات پردازشی موجود است و انعطاف‌پذیری را برای نیازهای مختلف ساخت نیمه‌رسانا ارائه می‌دهد.

برنامه های کاربردی:

رشد همبسته: چاک ویفر GaN-on-Si Epi یک پلت فرم پایدار برای رشد لایه های GaN با کیفیت بالا بر روی بسترهای سیلیکونی فراهم می کند، چاک ویفر GaN-on-Si Epi برای دستگاه های الکترونیکی و اپتوالکترونیکی با کارایی بالا ضروری است.

اچ کردن و رسوب گذاری: حذف یا رسوب یکنواخت مواد را تسهیل می کند، کلیدی برای دستیابی به خواص ساختاری و الکتریکی مطلوب دستگاه ها.

چاک ویفر GaN-on-Si Epi ابزاری ضروری برای تولیدکنندگان نیمه هادی است که هدفشان تولید دستگاه های پیشرفته مبتنی بر GaN است که عملکرد بی نظیری را در دقت، پایداری و دوام ارائه می دهد.