گیرنده ویفر

Semicorex Wafer Susceptor به طرز ماهرانه ای از گرافیت ساخته شده و با کاربید سیلیکون (SiC) پوشیده شده است تا شرایط سخت تولید نیمه هادی های مدرن را برآورده کند.

در فرآیندهای اپیتاکسی، حفظ یک محیط پایدار و کنترل شده کاملا ضروری است. ویفر Susceptor به عنوان سکوی پایه ای عمل می کند که ویفرها در طول رسوب گذاری بر روی آن قرار می گیرند و الزامات دقیق برای یکنواختی دما، بی اثری شیمیایی و استحکام مکانیکی برای دستیابی به لایه های اپیتاکسیال با کیفیت بالا را برآورده می کند.

انتخاب گرافیت به عنوان ماده پایه برای ویفر Susceptor به دلیل هدایت حرارتی عالی و خواص مکانیکی آن است. توانایی گرافیت برای مقاومت در برابر دماهای بالا و در عین حال حفظ یکپارچگی ساختاری در محیط های با دمای بالا راکتورهای اپیتاکسی بسیار مهم است. علاوه بر این، رسانایی گرمایی گرافیت توزیع موثر گرما را در سراسر ویفر تضمین می‌کند و خطر شیب دما را کاهش می‌دهد که می‌تواند منجر به نقص در لایه اپیتاکسیال شود.

برای افزایش عملکرد ویفر Susceptor، یک پوشش کاربید سیلیکون (SiC) به طرز ماهرانه ای روی پایه گرافیت اعمال می شود. SiC یک ماده بسیار بادوام با مقاومت شیمیایی عالی است که آن را برای استفاده در محیط های نیمه هادی که اغلب گازهای واکنش پذیر در آن وجود دارد، ایده آل می کند. پوشش SiC یک سد محافظ ایجاد می‌کند که از گرافیت در برابر واکنش‌های شیمیایی بالقوه محافظت می‌کند و از ماندگاری گیرنده ویفر و حفظ محیط تمیز در راکتور اطمینان می‌دهد.

Semicorex Wafer Susceptor ساخته شده از گرافیت با پوشش SiC یک جزء ضروری در فرآیندهای اپیتاکسی نیمه هادی است. ترکیبی از خواص حرارتی و مکانیکی گرافیت با پایداری شیمیایی و حرارتی کاربید سیلیکون، آن را برای نیازهای سخت‌گیرانه تولید نیمه‌رساناهای مدرن مناسب می‌سازد. طراحی تک ویفر کنترل دقیقی را بر فرآیند اپیتاکسی ارائه می دهد و به تولید دستگاه های نیمه هادی با کیفیت بالا کمک می کند. این گیرنده تضمین می کند که ویفرها با نهایت دقت و دقت کار می شوند و در نتیجه لایه های اپیتاکسیال برتر و محصولات نیمه هادی با عملکرد بهتری ایجاد می شوند.