صفحات توزیع گاز

صفحات توزیع گاز Semicorex نقش مهمی در سیستم های پیشرفته اچینگ پلاسما ، به ویژه در ساخت نیمه هادی که در آن دقت ، یکنواختی و کنترل آلودگی مهم است ، ایفا می کنند. صفحه توزیع گاز ما ، که از رسوب بخار شیمیایی با خلوص بالا ساخته شده است کاربید سیلیکون (cvd sic) ، برای پاسخگویی به خواسته های دقیق فرآیندهای مدرن اچینگ خشک طراحی شده است.

در طی فرآیند اچینگ ، گازهای واکنشی باید به صورت کنترل شده و یکنواخت وارد محفظه شوند تا از توزیع مداوم پلاسما در سطح ویفر اطمینان حاصل شود. صفحات توزیع گاز از لحاظ استراتژیک در بالای ویفر قرار دارند و یک عملکرد دوگانه را ارائه می دهند: ابتدا گازهای فرآیند را از قبل پراکنده می کند و سپس آنها را از طریق یک سری کانال و دیافراگم ریز تنظیم شده به سمت سیستم الکترود هدایت می کند. این تحویل دقیق گاز برای دستیابی به خصوصیات یکنواخت پلاسما و نرخ اچ سازگار در کل ویفر ضروری است.

با بهینه سازی روش تزریق گاز واکنشی می توان یکنواختی اچینگ را بیشتر بهبود بخشید:

• محفظه اچینگ آلومینیوم: گاز واکنشی معمولاً از طریق یک دوش دوش واقع در بالای ویفر تحویل داده می شود.

• محفظه اچینگ سیلیکون: در ابتدا ، گاز از حاشیه ویفر تزریق شد و سپس به تدریج تکامل یافت تا از بالای مرکز ویفر تزریق شود تا یکنواختی اچینگ را بهبود بخشد.

صفحات توزیع گاز ، همچنین به عنوان سر دوش نیز شناخته می شود ، یک دستگاه توزیع گاز است که به طور گسترده در فرآیندهای تولید نیمه هادی مورد استفاده قرار می گیرد. این ماده عمدتاً برای توزیع یکنواخت گاز در محفظه واکنش مورد استفاده قرار می گیرد تا اطمینان حاصل شود که مواد نیمه هادی می توانند در طی فرایند واکنش به طور مساوی با گاز تماس بگیرند و باعث بهبود کارایی تولید و کیفیت محصول شوند. این محصول دارای ویژگی های با دقت بالا ، پاکیزگی زیاد و درمان سطح چند ترکیب (مانند شن و ماسه زدن/آنودایزاسیون/برس آبکاری نیکل/پولیش الکترولیتیک و غیره) است. صفحات توزیع گاز در محفظه واکنش قرار دارند و یک لایه فیلم گازی یکنواخت برای محیط واکنش ویفر فراهم می کنند. این یک مؤلفه اصلی تولید ویفر است.

در طی فرآیند واکنش ویفر ، سطح صفحات توزیع گاز به طور متراکم با ریزگردها (دیافراگم 0.2-6 میلی متر) پوشانده می شود. از طریق ساختار منافذ دقیقاً طراحی شده و مسیر گاز ، گاز فرآیند ویژه باید هزاران سوراخ کوچک را روی صفحه گاز یکنواخت عبور داده و سپس به طور مساوی روی سطح ویفر قرار گیرد. لایه های فیلم در مناطق مختلف ویفر نیاز به اطمینان از یکنواختی و قوام بالا دارند. بنابراین ، علاوه بر نیازهای بسیار بالا برای مقاومت در برابر پاکیزگی و مقاومت در برابر خوردگی ، صفحات توزیع گاز نیازهای سختی بر قوام دیافراگم سوراخ های کوچک روی صفحه گاز یکنواخت و آستانه های موجود در دیواره داخلی سوراخ های کوچک دارند. اگر تحمل اندازه دیافراگم و انحراف استاندارد سازگاری بسیار بزرگ باشد یا بر روی هر دیواره داخلی وجود داشته باشد ، ضخامت لایه فیلم سپرده شده متناقض خواهد بود ، که مستقیماً بر عملکرد فرایند تجهیزات تأثیر می گذارد. در فرآیندهای کمک به پلاسما (مانند PECVD و اچینگ خشک) ، سر دوش ، به عنوان بخشی از الکترود ، یک میدان الکتریکی یکنواخت را از طریق منبع تغذیه RF ایجاد می کند تا توزیع یکنواخت پلاسما را ترویج کند و از این طریق یکنواختی اچینگ یا رسوب را بهبود می بخشد.

ماcvd sicصفحات توزیع گاز برای طیف گسترده ای از سیستم عامل های اچینگ پلاسما مورد استفاده در ساخت نیمه هادی ، پردازش MEMS و بسته بندی پیشرفته مناسب هستند. طرح های سفارشی می توانند برای برآورده کردن نیازهای خاص ابزار ، از جمله ابعاد ، الگوهای سوراخ و اتمام سطح ایجاد شوند.

صفحات توزیع گاز نیمورکس ساخته شده از CVD SIC یک مؤلفه حیاتی در سیستم های مدرن اچینگ پلاسما است که عملکرد تحویل گاز استثنایی ، دوام برجسته مواد و حداقل خطر آلودگی را ارائه می دهد. استفاده از آن به طور مستقیم به بازده فرآیند بالاتر ، نقص پایین تر و به موقع ابزار طولانی تر کمک می کند و آن را به یک انتخاب قابل اعتماد برای تولید نیمه هادی پیشرو تبدیل می کند.